Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsПолевые транзисторыNXP

Datasheets - Полевые транзисторы NXP - 2

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "NXP"
Производители
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed НИИЭТ
Серии
BF909 BF909R BF998 BF998R BSP122 IRF530N MRF8P29300H MRF8P29300HS PHK12NQ03LT PHP79NQ08LT PMN50XP PSMN0R9-25YLC
Найдено: 629 Вывод: 21-40

Вид: Список / Картинки

  1. PMZB420UN — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP PMZB420UN
    Datasheet PMZB420UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B
    Наименование модели: PMZB420UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMZB420UN 83B 30 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 11 May 2012 Product data sheet 1. ...
  2. PMZB380XN — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP PMZB380XN
    Datasheet PMZB380XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B
    Наименование модели: PMZB380XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B Спецификации: Continuous Drain Current Id: 930 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.38 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В ...
  1. PMZB300XN — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP PMZB300XN
    Datasheet PMZB300XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B
    Наименование модели: PMZB300XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B Спецификации: Continuous Drain Current Id: 1 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.3 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В ...
  2. PMZB290UN — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP PMZB290UN
    Datasheet PMZB290UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B
    Наименование модели: PMZB290UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMZB290UN 83B 20 V, single N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 11 May 2012 Product data sheet 1. ...
  1. PMDPB28UN — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP PMDPB28UN
    Datasheet PMDPB28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118
    Наименование модели: PMDPB28UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMDPB28UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 26 April 2012 Product data sheet ...
  2. BUK9E1R9-40E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK9E1R9-40E
    Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK
    Наименование модели: BUK9E1R9-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK Спецификации: Continuous Drain Current Id: 72 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.013 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В ...
  3. BUK9E1R6-30E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK9E1R6-30E
    Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK
    Наименование модели: BUK9E1R6-30E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9E1R6-30E 11 September 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
  4. BUK969R3-100E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK969R3-100E
    Datasheet BUK969R3-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK969R3-100E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK969R3-100E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
  5. BUK964R8-60E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK964R8-60E
    Datasheet BUK964R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK964R8-60E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK964R8-60E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  6. BUK964R7-80E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK964R7-80E
    Datasheet BUK964R7-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK964R7-80E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK964R7-80E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
  7. BUK964R2-60E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK964R2-60E
    Datasheet BUK964R2-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK964R2-60E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK964R2-60E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  8. BUK964R1-40E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK964R1-40E
    Datasheet BUK964R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 75 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK964R1-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 75 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK964R1-40E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  9. BUK963R3-60E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK963R3-60E
    Datasheet BUK963R3-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK963R3-60E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK963R3-60E 20 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  10. BUK963R1-40E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK963R1-40E
    Datasheet BUK963R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK963R1-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK963R1-40E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  11. BUK9637-100E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK9637-100E
    Datasheet BUK9637-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 31 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK9637-100E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 31 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9637-100E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
  12. BUK962R8-60E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK962R8-60E
    Datasheet BUK962R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK962R8-60E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK962R8-60E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  13. BUK962R6-40E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK962R6-40E
    Datasheet BUK962R6-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK962R6-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK962R6-40E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  14. BUK962R1-40E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK962R1-40E
    Datasheet BUK962R1-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK962R1-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK962R1-40E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product ...
  15. BUK961R5-30E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK961R5-30E
    Datasheet BUK961R5-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK961R5-30E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK961R5-30E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...
  16. BUK9615-100E — Datasheet NXP -
    Полевые транзисторы NXP BUK9615-100E
    Datasheet BUK9615-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK9615-100E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 66 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9615-100E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. ...

Сортировать по: релевантность / дата

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring