20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS Режим улучшения N-канала логического уровня. Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для ...
20 В, 1 А P-канальный траншейный МОП-транзистор Полевой транзистор (FET) в режиме улучшения P-канала в небольшом пластиковом корпусе SOT323 (SC-70) для поверхностного монтажа (SMD) с использованием технологии Trench MOSFET.
N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GAN063-650WSA — это 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN). Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе передовые технологии высоковольтных ...
Автомобильный логический уровень N-канального MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
Автомобильный стандартный N-канальный MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
Стандартный уровень управления затвором N-канального MOSFET с режимом улучшения в корпусе D2PAK, рассчитанный на 175 °C. Часть портфолио «NextPower Live» от Nexperia, PSMN3R7-100BSE обеспечивает очень низкий R DSon и очень высокую ...
