Datasheets - Полевые транзисторы STMicroelectronics

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STF19NF20
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули STMicroelectronics STF19NF20
   N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
2. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STD19NF20
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули STMicroelectronics STD19NF20
   N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.

3. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STB19NF20
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули STMicroelectronics STB19NF20
   N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
4. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STP19NF20
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули STMicroelectronics STP19NF20
   N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.

5. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50Z
   N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
6. STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4NK50ZFP
   N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
7. STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4NK50Z
   N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
8. STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50ZT4
   N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
9. STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
   Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50Z-1
   N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
10. STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP75NF75
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
11. STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP75NF75FP
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
12. STB75NF75T4 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STB75NF75 STB75NF75T4
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
13. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics BUZ171
    SIPMOS силовой транзистор
14. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics BUZ71
    N-канальный 50 В -0,085 Ом -17 А TO-220 STripFET Силовой МОП-транзистор
15. STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STL200N45LF7
    N-канал 45 В, 1,4 мОм тип., 120 А STripFET F7 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6 Все особенности Один из самых низких R DS (включенных) на рынке Отличный FoM (добротность) Низкое соотношение C rss / C iss для защиты от электромагнитных помех ...
16. STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
17. STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STF9NK90Z
    N-канальный, 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220FP Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
18. STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STB9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе D2PAK Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
19. STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STW9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-247 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
20. STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4N150
    N-канал 1500 В, 5 Ом тип., 4 A PowerMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. Полностью ...

Сортировать по: релевантность / дата