Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsIGBT транзисторы
Toshiba

Datasheets - IGBT транзисторы Toshiba

Подраздел: "IGBT транзисторы"
Производитель: "Toshiba"
Производители
APT Diodes Dynex Fairchild Fuji Electric Genesic Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil IXYS NTE Electronics ON Semiconductor Powerex Sanyo Semikron STMicroelectronics Toshiba Vishay
Найдено: 13 Вывод: 1-13

Вид: Список / Картинки

  1. GT50J325 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT50J325
    Datasheet GT50J325 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH)
    Наименование модели: GT50J325 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT50J325 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J325 High Power Switching ...
  2. GT50J102 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT50J102
    Datasheet GT50J102 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH)
    Наименование модели: GT50J102 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT50J102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J102 HIGH POWER SWITCHING ...
  1. GT30J324 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT30J324
    Datasheet GT30J324 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT30J324 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT30J324 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J324 High Power Switching ...
  2. GT25Q102 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT25Q102
    Datasheet GT25Q102 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(LH)
    Наименование модели: GT25Q102 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(LH) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT25Q102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT25Q102 High Power Switching ...
  1. GT20J101 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT20J101
    Datasheet GT20J101 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT20J101 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT20J101 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT20J101 High Power Switching ...
  2. GT15J301 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT15J301
    Datasheet GT15J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS
    Наименование модели: GT15J301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING ...
  3. GT10Q101 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT10Q101
    Datasheet GT10Q101 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT10Q101 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT10Q101 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q101 High Power Switching ...
  4. GT30J301 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT30J301
    Datasheet GT30J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT30J301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT30J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT30J301 HIGH POWER SWITCHING ...
  5. GT15J321 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT15J321
    Datasheet GT15J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS
    Наименование модели: GT15J321 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching ...
  6. GT10J303 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT10J303
    Datasheet GT10J303 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS
    Наименование модели: GT10J303 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Спецификации: Тип транзистора: HP SW IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.7 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 ...
  7. GT20J321 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT20J321
    Datasheet GT20J321 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-220NIS
    Наименование модели: GT20J321 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-220NIS Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.45 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-220NIS ...
  8. GT20J301 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT20J301
    Datasheet GT20J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT20J301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: HP SW IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.7 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-3P (N) ...
  9. GT15Q301 — Datasheet Toshiba -
    IGBT транзисторы Toshiba GT15Q301
    Datasheet GT15Q301 - Toshiba Даташит IGBT, 1200 В, TO-3P(N)
    Наименование модели: GT15Q301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: HP SW IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.7 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В Корпус транзистора: TO-3P ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Революция цен на электронные компоненты: скидки 20%, кешбек 15%, бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring