N-канальные JFET Серия 2N/SST5484 состоит из n-канальных JFET, предназначенных для обеспечения высокопроизводительного усиления, особенно на высоких частотах до 400 МГц и выше.
N-канальные JFET Серия 2N/SST5484 состоит из n-канальных JFET, предназначенных для обеспечения высокопроизводительного усиления, особенно на высоких частотах до 400 МГц и выше.
N-канальные JFET Серия 2N/SST5484 состоит из n-канальных JFET, предназначенных для обеспечения высокопроизводительного усиления, особенно на высоких частотах до 400 МГц и выше.
N-канальные JFET Серия 2N/SST5484 состоит из n-канальных JFET, предназначенных для обеспечения высокопроизводительного усиления, особенно на высоких частотах до 400 МГц и выше.
Высокоточный фольговый резистор с TCR ± 2,0 ppm/°C, допуском ± 0,005 % и стабильностью срока службы ± 0,005 %. Технология Bulk Metal Foil (BMF) превосходит все другие технологии резисторов, доступные сегодня, для применений, требующих высокой ...
Высокоточный фольговый резистор с TCR ± 2,0 ppm/°C, допуском ± 0,005 % и стабильностью срока службы ± 0,005 %. Технология Bulk Metal Foil (BMF) превосходит все другие технологии резисторов, доступные сегодня, для применений, требующих высокой ...
Высокоточный фольговый резистор с TCR ± 2,0 ppm/°C, допуском ± 0,005 % и стабильностью срока службы ± 0,005 %. Технология Bulk Metal Foil (BMF) превосходит все другие технологии резисторов, доступные сегодня, для применений, требующих высокой ...
Высокоточный фольговый резистор с TCR ± 2,0 ppm/°C, допуском ± 0,005 % и стабильностью срока службы ± 0,005 %. Технология Bulk Metal Foil (BMF) превосходит все другие технологии резисторов, доступные сегодня, для применений, требующих высокой ...
Высокоточный фольговый резистор с TCR ± 2,0 ppm/°C, допуском ± 0,005 % и стабильностью срока службы ± 0,005 %. Технология Bulk Metal Foil (BMF) превосходит все другие технологии резисторов, доступные сегодня, для применений, требующих высокой ...
Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Литой тонкопленочный резистор (делитель напряжения) SOT-23 для поверхностного монтажа Тонкопленочные делители серии MPM Vishay Dale обеспечивают отслеживание ± 2 ppm/°C и допуск на соотношение до 0,01 %, малый размер и исключительную стабильность ...
