Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 6 Вывод: 1-6

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Texas Instruments TPS2105DG4
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 8-СОИК
  2. Datasheet Texas Instruments TPS2105DBVT
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 5-СОТ-23
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet Texas Instruments TPS2105DBVTG4
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 5-СОТ-23
  2. Datasheet Texas Instruments TPS2105DBVRG4
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 5-СОТ-23
  1. Datasheet Texas Instruments TPS2105DBVR
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 5-СОТ-23
  2. Datasheet Texas Instruments TPS2105D
    2,7–5,5 В, двойной вход/одиночный выход MOSFET, основной вход 0,5 А/дополнительный вход 0,1 А, активация высокого уровня, промышленная температура. 8-СОИК
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России