Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...
