Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheets - 2

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 99 Вывод: 21-40

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet BUK7Y54-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 21.43 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y54-75B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 21.43 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y54-75B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  2. Datasheet BUK7Y53-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 24.8 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y53-100B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 24.8 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y53-100B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 3 -- 13 October 2010 Product ...
  1. Datasheet BUK7Y35-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 28.4 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y35-55B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 28.4 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y35-55B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  2. Datasheet BUK7Y28-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 35.5 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y28-75B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 35.5 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y28-75B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  1. Datasheet BUK7Y25-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 35.3 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y25-40B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 35.3 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y25-40B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  2. Datasheet BUK7Y20-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 39.5 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y20-30B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 39.5 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y20-30B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  3. Datasheet BUK7Y18-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 49 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y18-75B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 49 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y18-75B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data sheet ...
  4. Datasheet BUK7Y18-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 47.4 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y18-55B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 47.4 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y18-55B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 -- 7 April 2010 Product data ...
  5. Datasheet BUK7Y102-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y102-100B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 15 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y102-100B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data ...
  6. Datasheet BUK7Y10-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y10-30B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 67 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y10-30B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 9 April 2010 Product data sheet ...
  7. Datasheet BUK7Y08-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y08-40B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 75 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y08-40B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data sheet ...
  8. Datasheet BUK7Y07-30B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 75 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y07-30B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 75 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y07-30B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data sheet ...
  9. Datasheet SQJ970EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ970EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 40 В, 8 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ970EP Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C ...
  10. Datasheet SQJ964EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 60 В, 8 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ964EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 60 В, 8 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ964EP Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C ...
  11. Datasheet SQJ941EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ941EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, PP CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ941EP Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 °C ...
  12. Datasheet SQJ844EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ844EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт диод, 30 В, 8 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ844EP Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 °C ...
  13. Datasheet SQJ850EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 24 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ850EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 24 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ850EP Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  14. Datasheet SQJ848EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ848EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ848EP Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  15. Datasheet SQJ840EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 30 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ840EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 30 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ840EP Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  16. Datasheet SQJ456EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L
    Наименование модели: SQJ456EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 32 А, PPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ456EP Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка