Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheets - 3

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 99 Вывод: 41-60

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet SQJ412EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 32 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ412EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 32 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ412EP Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  2. Datasheet SIJ484DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L
    Наименование модели: SIJ484DP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: New Product SiJ484DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT ...
  1. Datasheet SIJ458DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L
    Наименование модели: SIJ458DP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: New Product SiJ458DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PRODUCT ...
  2. Datasheet SIJ420DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8L
    Наименование модели: SIJ420DP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 20 В, 50 А, PPAKSO8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: New Product SiJ420DP Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET PRODUCT ...
  1. Datasheet SQJ469EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ469EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 80 В, 32 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ469EP Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  2. Datasheet SQJ463EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ463EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPICE Device Model SQJ463EP Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET ...
  3. Datasheet SQJ461EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 60 В, 30 А, POPAK8L
    Наименование модели: SQJ461EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 60 В, 30 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SQJ461EP Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET ...
  4. Datasheet RJK1056DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 25 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK1056DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 25 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 11 МОм Rds(on) Test ...
  5. Datasheet RJK1055DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK1055DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 23 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 13 МОм Rds(on) Test ...
  6. Datasheet RJK1054DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 100 В, 20 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK1054DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 100 В, 20 А, LFPAK Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 17 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
  7. Datasheet RJK0856DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 80 В, 35 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0856DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 80 В, 35 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On State Resistance: 6.9 МОм Rds(on) Test ...
  8. Datasheet RJK0855DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 80 В, 30 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0855DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 80 В, 30 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On State Resistance: 8.2 МОм Rds(on) Test ...
  9. Datasheet RJK0854DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 80 В, 25 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0854DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 80 В, 25 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 80 В On State Resistance: 10 МОм Rds(on) Test ...
  10. Datasheet RJK0656DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 60 В, 40 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0656DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 60 В, 40 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 4.5 МОм Rds(on) Test ...
  11. Datasheet RJK0655DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 60 В, 35 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0655DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 60 В, 35 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 5.3 МОм Rds(on) Test ...
  12. Datasheet RJK0654DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 60 В, 30 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0654DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 60 В, 30 А, LFPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 6.5 МОм Rds(on) Test ...
  13. Datasheet RJK0456DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 40 В, 50 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0456DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 40 В, 50 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC ...
  14. Datasheet RJK0454DPB - Renesas Даташит Полевой транзистор.N CH, 40 В, 40 А, LFPAK
    Наименование модели: RJK0454DPB Производитель: Renesas Описание: Полевой транзистор.N CH, 40 В, 40 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC ...
  15. Datasheet PH5330E,115 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 80 А LFPAK
    Наименование модели: PH5330E,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 80 А LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PH5330E N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 -- 19 October 2009 Product data sheet 1. ...
  16. Datasheet PH7030L - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK
    Наименование модели: PH7030L Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PH7030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 -- 29 June 2009 Product data sheet 1. Product profile ...
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка