На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheets

Поиск по картинке: Поиск по картинке
Найдено: 32 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet BC856S - NXP Даташит Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363
    Наименование модели: BC856S Производитель: NXP Описание: Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BC856S 65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor Rev. 02 -- 19 February 2009 Product data sheet 1. ...
  2. Datasheet PMBFJ620,115 - NXP Даташит JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363
    Наименование модели: PMBFJ620,115 Производитель: NXP Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363 Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -25 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА .. 60 мА Gate-Source Cutoff Voltage ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet PMBT3946YPN - NXP Даташит Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363
    Наименование модели: PMBT3946YPN Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBT3946YPN 40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistor Rev. 01 -- 12 May 2009 ...
  2. Datasheet PMBT3904YS - NXP Даташит Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363
    Наименование модели: PMBT3904YS Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/NPN, 40 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBT3904YS 40 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose double transistor Rev. 01 -- 12 May 2009 Product ...
  1. Datasheet BC856BS - NXP Даташит Транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, SOT363
    Наименование модели: BC856BS Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BC856BS 65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor Rev. 01 -- 11 August 2009 Product data sheet 1. ...
  2. Datasheet PMG85XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363
    Наименование модели: PMG85XP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TS SO P6 PMG85XP 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 28 June 2011 Product data ...
  3. Datasheet NX6020NBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363
    Наименование модели: NX6020NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Спецификации: SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) RoHS: есть
  4. Datasheet NX3008PBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008PBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...
  5. Datasheet NX3008NBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...
  6. Datasheet NX3008CBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008CBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008CBKS 30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 July ...
  7. Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD280UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 10 February 2004 ...
  8. Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD290XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 February ...
  9. Datasheet 2N7002BKS - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.3 А, SOT363
    Наименование модели: 2N7002BKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.3 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 2 -- 23 September 2010 Product data ...
  10. Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD400UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March 2004 ...
  11. Datasheet BSS138BKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT363
    Наименование модели: BSS138BKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT363 RoHS: есть
  12. Datasheet PMG370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363
    Наименование модели: PMG370XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.96 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMG370XN N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 13 February 2004 ...
  13. Datasheet PMGD370XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD370XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD370XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 27 February ...
  14. Datasheet BSS84AKS - NXP Даташит Полевой транзистор, PP CH, 50 В, 0.16 А, SOT363
    Наименование модели: BSS84AKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, PP CH, 50 В, 0.16 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TS SO P6 BSS84AKS 50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 23 May 2011 Product ...
  15. Datasheet BSS138PS - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.32 А, SOT363
    Наименование модели: BSS138PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.32 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSS138PS 60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 2 November 2010 Product data ...
  16. Datasheet PUMX1 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363
    Наименование модели: PUMX1 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PUMX1 40 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor Rev. 04 -- 20 January 2010 Product data sheet 1. ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России