Datasheets - 5

Поиск по картинке: Поиск по картинке

Вид: Список / Картинки

81. SPU04N60C3 — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPU04N60C3
    

    Наименование модели: SPU04N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain ...
82. FQU3N60CTU — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FQU3N60CTU
    

    Наименование модели: FQU3N60CTU Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-251 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 2.4 А Drain Source Voltage Vds: 600 В On Resistance Rds(on): 2.8 Ом ...

83. FDU8586 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDU8586
    

    Наименование модели: FDU8586 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET January 2007 FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET ...
84. FDU8580 — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FDU8580
    

    Наименование модели: FDU8580 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDD8580/FDU8580 N-Channel PowerTrench® MOSFET July 2006 FDD8580/FDU8580 N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, ...

85. FCU5N60TU — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FCU5N60TU
    

    Наименование модели: FCU5N60TU Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFET FCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFET Features · 650V ...
86. FCU7N60TU — Datasheet Fairchild -
    Полевые транзисторы Fairchild FCU7N60TU
    

    Наименование модели: FCU7N60TU Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FCD7N60/FCU7N60 600V N-Channel MOSFET July 2006 SuperFET FCD7N60 / FCU7N60 600V N-Channel MOSFET ...
87. STD616A-1 — Datasheet STMicroelectronics -
    Биполярные транзисторы STMicroelectronics STD616A-1
    

    Наименование модели: STD616A-1 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, NPN IPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® STD616A HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR s s s s Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector ...
88. STD1805-1 — Datasheet STMicroelectronics -
    Биполярные транзисторы STMicroelectronics STD1805-1
    

    Наименование модели: STD1805-1 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, NPN, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® STD1805 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Ordering Code STD1805T4 ...
89. 2SD1862TV2Q — Datasheet Rohm -
    Биполярные транзисторы Rohm 2SD1862TV2Q
    

    Наименование модели: 2SD1862TV2Q Производитель: Rohm Описание: Транзистор ATV Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32 В Частота единичного усиления типовая: 100 ...
90. 2SD1857ATV2Q — Datasheet Rohm -
    Биполярные транзисторы Rohm 2SD1857ATV2Q
    

    Наименование модели: 2SD1857ATV2Q Производитель: Rohm Описание: Транзистор ATV Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В Частота единичного усиления типовая: 80 МГц Power Dissipation Pd: ...
91. 2SB1243TV2R — Datasheet Rohm -
    Биполярные транзисторы Rohm 2SB1243TV2R
    

    Наименование модели: 2SB1243TV2R Производитель: Rohm Описание: Транзистор ATV Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Частота единичного усиления типовая: 70 МГц Power Dissipation Pd: 1 ...
92. 2SB1240TV2R — Datasheet Rohm -
    Биполярные транзисторы Rohm 2SB1240TV2R
    

    Наименование модели: 2SB1240TV2R Производитель: Rohm Описание: Транзистор ATV Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32 В Частота единичного усиления типовая: 100 МГц Power Dissipation Pd: 1 ...
93. STGD3NB60SD-1 — Datasheet STMicroelectronics -
    IGBT STMicroelectronics STGD3NB60SD-1
    

    Наименование модели: STGD3NB60SD-1 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, I-PAK Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT - PowerMESH - Low Drop Max Voltage Vce Sat: 1.5 В Корпус транзистора: I-PAK Корпус: I-PAK Current ...