Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
N-канальный МОП ПТ Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для ...
Справочник по полевым транзисторам КП312А КП312Б 2П312А 2П312Б маркируется двумя желтыми точками маркируется двумя синими точками маркируется одной желтой точкой маркируется одной синей точкой 3П320А-2 3П320Б-2 маркируется одной красной точкой ...
Справочник по полевым транзисторам Тип S 1-S 2/I(U) мсим/А(В) I 01-I 02/U А/В Iз/Uз нА/В C 11 пф C 12 пф C 22 пф Fш/F дб/ГГц Uзи/Iс(U 0 В/mА(В) Uзс В Uзи В Uси В Iс А P/Pт вт Тип Кан Цок КП501А КП501Б КП501В 100- /0.25 100- /0.25 100- /0.25 20/20 ...
Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого ...
Три наиболее распространенных стандартных способа обозначения: Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) digit, letter, serial number, [suffix] digit - цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обычно 2. 4 и 5 ...
