Сверхмалошумящий HEMT FHX35LG — это транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), предназначенный для усилителей общего назначения с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления в диапазоне частот 2–18 ГГц. Это устройство упаковано в ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS Режим улучшения N-канала логического уровня. Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для ...
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS Режим улучшения N-канала логического уровня. Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для ...
