AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsПолевые транзисторы

Datasheets - Полевые транзисторы - 5

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производители
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed НИИЭТ
Найдено: 8,166 Вывод: 81-100

Вид: Список / Картинки

  1. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFU9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  2. IRFU9310 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFU9310
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFU9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций
  1. IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  2. IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310 IRFR9310PbF
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  1. IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF-BE3
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  2. IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310 IRFR9310TRPbF
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  3. IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310 IRFR9310TRRPbF
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  4. IRFR9310 — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay IRFR9310
    Транзисторы, транзисторные сборки и модули Vishay IRFR9310
    Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  5. FDS6675 — Datasheet Fairchild
    Полевые транзисторы Fairchild FDS6675
    Одиночный P-канальный PowerTrench MOSFET -30 В, -11 А, 14 мОм Этот МОП-транзистор P-канального логического уровня изготовлен с использованием передовой технологии PowerTrench, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в ...
  6. EPC2361 — Datasheet Efficient Power Conversion
    Полевые транзисторы Efficient Power Conversion EPC2361
    Datasheet Efficient Power Conversion EPC2361
    EPC2361: Силовой GaN-транзистор расширенного режима, 100 В, 101 А. Исключительно высокая подвижность электронов и низкий температурный коэффициент нитрида галлия обеспечивают очень низкий RDS(on), в то время как его боковая структура устройства и ...
  7. Si2334DS — Datasheet Vishay
    Полевые транзисторы Vishay Si2334DS
    N-канальный 30 В (DS) МОП-транзистор
  8. DMP2160UWQ-7 — Datasheet Diodes
    Полевые транзисторы Diodes DMP2160UWQ DMP2160UWQ-7
    Datasheet Diodes DMP2160UWQ-7
    Мосфет режима улучшения P-канала Этот МОП-транзистор разработан с учетом строгих требований автомобильной промышленности.
  9. DMP2160UWQ — Datasheet Diodes
    Полевые транзисторы Diodes DMP2160UWQ
    Мосфет режима улучшения P-канала Этот МОП-транзистор разработан с учетом строгих требований автомобильной промышленности.
  10. MRF8P29300HR6 — Datasheet NXP
    Полевые транзисторы NXP MRF8P29300H MRF8P29300HR6
    Боковой N-канальный широкополосный высокочастотный силовой МОП-транзистор, 2700–2900 МГц, 320 Вт, 30 В
  11. MRF8P29300HSR6 — Datasheet NXP
    Полевые транзисторы NXP MRF8P29300HS MRF8P29300HSR6
    Боковой N-канальный широкополосный высокочастотный силовой МОП-транзистор, 2700–2900 МГц, 320 Вт, 30 В
  12. BSS84-7-F — Datasheet Diodes
    Полевые транзисторы Diodes BSS84 BSS84-7-F
    Datasheet Diodes BSS84-7-F
    Режим расширения P-канала MOSFET
  13. BSS84-13-F — Datasheet Diodes
    Полевые транзисторы Diodes BSS84 BSS84-13-F
    Datasheet Diodes BSS84-13-F
    Режим расширения P-канала MOSFET
  14. BSS84 — Datasheet Diodes
    Полевые транзисторы Diodes BSS84
    Режим расширения P-канала MOSFET
  15. SSM10N961L — Datasheet Toshiba
    Полевые транзисторы Toshiba SSM10N961L
    Кремниевый N-канальный МОП-транзистор
  16. APT40M35JVR — Datasheet APT
    Полевые транзисторы APT APT40M35JVR
    Мощный MOSFET c N-каналом 400В 93А 0.035Ом Power MOS V — это новое поколение высоковольтных мощных МОП-транзисторов с N-канальным режимом улучшения. Эта новая технология сводит к минимуму эффект JFET, увеличивает плотность упаковки и снижает ...
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring