Наименование модели: IRG4PH50S-EPBF Производитель: International Rectifier Описание: Одиночный IGBT, 18 В, 57 А Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 57 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ Рассеиваемая мощность: 200 Вт ...
Наименование модели: IRG4BC15UD-LPBF Производитель: International Rectifier Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 14 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94083A INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C ...
Наименование модели: HGTP7N60C3D Производитель: Fairchild Описание: IGBT, 600 В, 14 А, TO-220 Скачать Data Sheet Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В DC Collector Current: 14 А Количество ...
Наименование модели: STGW50HF60SD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, Вт диод, 600 В, 60 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGW50HF60SD 60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode ...
Наименование модели: STGD3HF60HDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, Вт диод, 600 В, 7.5 А, 38 Вт, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGD3HF60HD 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode Features Minimal ...
Наименование модели: IRG7S313UPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, 330 В, 40 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97402A PDP TRENCH IGBT Features l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized ...
Наименование модели: IRG7PH42UD1PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 85 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97480 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR ...
Наименование модели: IRG7PH35UD1PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97455 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR ...