Datasheets - Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) - 8

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)

Вид: Список / Картинки

141. MMBFJ108 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild MMBFJ108
     

     Наименование модели: MMBFJ108 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, SUPERSOT-3 Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -25 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -10 В Рассеиваемая мощность: 350 мВт ...
142. MMBF5462 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild MMBF5462
     

     Наименование модели: MMBF5462 Производитель: Fairchild Описание: P CHANNEL JFET, 40 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N5460 / 5461 / 5462 / MMBF5460 / MMBF5461 / MMBF5462 2N5460 2N5461 2N5462 MMBF5460 MMBF5461 MMBF5462 G S ...

143. MMBF4091 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild MMBF4091
     

     Наименование модели: MMBF4091 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -40 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PN4091 / 4092 / 4093 / MMBF4091 / 4092 / 4093 PN4091 PN4092 PN4093 MMBF4091 MMBF4092 MMBF4093 G D G S ...
144. J202 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild J202
     

     Наименование модели: J202 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -40 В, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J201 - J202 / MMBFJ201 - MMBFJ203 -- N-Channel General Purpose Amplifier January 2008 J201 - J202 / MMBFJ201 ...

145. J110 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild J110
     

     Наименование модели: J110 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, TO-92 Спецификации: Рассеиваемая мощность: 350 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Количество выводов: 3 Peak Reflow Compatible (260 C): Yes ...
146. BF246A — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild BF246A
     

     Наименование модели: BF246A Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92 Скачать Data Sheet RoHS: есть
147. 2N5952 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild 2N5952
     

     Наименование модели: 2N5952 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92 Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -30 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -3.5 В Рассеиваемая мощность: 350 мВт Рабочий ...
148. 2N4416-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay 2N4416-E3
     

     Наименование модели: 2N4416-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL JFET, -36 В, TO-206AF Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N4416/2N4416A/SST4416 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number Спецификации: Тип ...
149. 2N4393-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay 2N4393-E3
     

     Наименование модели: 2N4393-E3 Производитель: Vishay Описание: TRANSISTORS - JFET Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N/PN/SST4391 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs 2N4391 2N4392 2N4393 PRODUCT SUMMARY RoHS: есть
150. 2N4339-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay 2N4339-E3
     

     Наименование модели: 2N4339-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL JFET, -57 В, TO-206AA Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -57 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -1.8 В Рассеиваемая мощность: 300 мВт Рабочий ...
151. 2N4338-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay 2N4338-E3
     

     Наименование модели: 2N4338-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL JFET, -57 В, TO-206AA Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -57 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -1 В Рассеиваемая мощность: 300 мВт Рабочий ...
152. 2N4117A-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay 2N4117A-E3
     Наименование модели: 2N4117A-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL JFET, -70 В, TO-206AF Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -70 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -1.8 В Рассеиваемая мощность: 300 мВт Рабочий ...
153. VCR7N-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay VCR7N-E3
     

     Наименование модели: VCR7N-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, N, TO-206AF Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VCR2N/4N/7N Vishay Siliconix JFET Voltage-Controlled Resistors PRODUCT SUMMARY Part Number Спецификации: ...
154. SST175-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay SST175-E3
     

     Наименование модели: SST175-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, 0.07 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 ...
155. SST174-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay SST174-E3
     

     Наименование модели: SST174-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, сдвоенный, P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 ...
156. SJEP170R550 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP170R550
     

     Наименование модели: SJEP170R550 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP170R550 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1700 0.550 74 ...
157. SJEP120R100A — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100A
     

     Наименование модели: SJEP120R100A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
158. SJEP120R100 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100
     

     Наименование модели: SJEP120R100 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
159. SJEP120R063A — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063A
     

     Наименование модели: SJEP120R063A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...
160. SJEP120R063 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063
     

     Наименование модели: SJEP120R063 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...