0–3 А, 7–15 В, одиночная микросхема с возможностью горячей замены, Hi-Side MOSFET, 100 мкА IQ в спящем режиме, промышленная температура. 16-СОИК от -40 до 85
0–3 А, 7–15 В, одиночная микросхема с возможностью горячей замены, Hi-Side MOSFET, 100 мкА IQ в спящем режиме, промышленная температура. 16-СОИК от -40 до 85