Datasheets - FRAM

Подраздел: "FRAM"
Производители
Fujitsu LAPIS Semiconductor
Найдено: 16 Вывод: 1-16

Вид: Список / Картинки

  1. Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  2. Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  3. Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  4. Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  1. Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  2. Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  3. Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  4. Memory FRAM 8M (512K×16) Bit
  5. Memory FRAM 8M (512K×16) Bit
  6. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  7. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  8. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  9. Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  10. The MR48V256C is a nonvolatile 32,768-word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology. As FeRAM cells are nonvolatile, backup batteries to hold data can be eliminated. And, data can be read and ...
  11. The MR45V100A is a nonvolatile 128K word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology
  12. The MR44V100A is a nonvolatile 131,072-word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology