Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
Datasheets
FRAM

Datasheets - FRAM

Подраздел: "FRAM"
Производители
Fujitsu LAPIS Semiconductor
Найдено: 16 Вывод: 1-16

Вид: Список / Картинки

  1. MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
    Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  2. MB85RS4MTY — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MTY
    Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPF-G-BCERE1
    Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  2. MB85RS4MTYPF-G-BCE1 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MTY MB85RS4MTYPF-G-BCE1
    Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
  1. MB85RS4MTPF-G-JNE2 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MT MB85RS4MTPF-G-JNE2
    Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  2. MB85RS4MTPF-G-JNERE2 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MT MB85RS4MTPF-G-JNERE2
    Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  3. MB85RS4MT — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS4MT
    Memory FRAM 4M (512K x 8) Bit SPI
  4. MB85R8M2TPBS-M-JAE1 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85R8M2T MB85R8M2TPBS-M-JAE1
    Memory FRAM 8M (512K×16) Bit
  5. MB85R8M2T — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85R8M2T
    Memory FRAM 8M (512K×16) Bit
  6. MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPNF-G-JNERE2
    Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  7. MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPN-G-AMEWE1
    Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  8. MB85RS64TU — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS64TU
    Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  9. MB85RS64TUPNF-G-JNE2 — Datasheet Fujitsu
    FRAM Fujitsu MB85RS64TU MB85RS64TUPNF-G-JNE2
    Memory FRAM 64K (8Kx8) Bit SPI
  10. MR48V256C — Datasheet LAPIS Semiconductor
    FRAM LAPIS Semiconductor MR48V256C
    The MR48V256C is a nonvolatile 32,768-word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology. As FeRAM cells are nonvolatile, backup batteries to hold data can be eliminated. And, data can be read and ...
  11. MR45V100A — Datasheet LAPIS Semiconductor
    FRAM LAPIS Semiconductor MR45V100A
    The MR45V100A is a nonvolatile 128K word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology
  12. MR44V100A — Datasheet LAPIS Semiconductor
    FRAM LAPIS Semiconductor MR44V100A
    The MR44V100A is a nonvolatile 131,072-word x 8-bit ferroelectric random access memory (FeRAM) fabricated in silicon-gate CMOS technology
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров