Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
Память FRAM 4M (512 K x 8) бит SPI MB85RS4MTY - это микросхема FRAM (сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) с конфигурацией 524 288 слов x 8 бит, использующая технологии сегнетоэлектрического процесса и кремниевого затвора CMOS ...
MR48V256C — это энергонезависимая 8-битная сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FeRAM) на 32 768 слов, изготовленная по технологии КМОП с кремниевым затвором. Поскольку элементы FeRAM энергонезависимы, от резервных батарей для ...
MR45V100A — это энергонезависимая 8-битная сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 128 тыс. слов, изготовленная по технологии КМОП с кремниевым затвором.
MR44V100A представляет собой энергонезависимую 8-битную сегнетоэлектрическую память произвольного доступа (FeRAM) на 131 072 слова, изготовленную по технологии КМОП с кремниевым затвором.
