Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheets - Транзисторы, транзисторные сборки и модули

Подраздел: "Транзисторы, транзисторные сборки и модули"
Найдено: 30 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Мощный МОП-транзистор 100 В, 1,7 Ом, 0,7 А, одинарный P-канал
  2. Мощный МОП-транзистор 100 В, 1,7 Ом, 0,7 А, одинарный P-канал
Пленочные конденсаторы Hongfa для построения AC/DC- и DC/AC-преобразователей
  1. N-канальные HEXFET-транзисторы 400 В Технология HEXFET является ключевой в усовершенствованной линейке силовых MOSFET-транзисторов HiRel компании International Rectifier. Эффективная геометрия и уникальная обработка этой новейшей «современной» ...
  2. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  1. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  2. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  3. N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
  4. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
  5. Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
  6. Datasheet Vishay IRFZ24PbF
    Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
  7. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  8. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  9. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  10. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  11. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  12. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  13. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  14. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  15. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  16. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс