Силовой МОП-транзистор в корпусе TO-247AC Функции Низкий заряд затвора Qg обеспечивает простоту управления Улучшенная устойчивость к затвору, лавинному пробою и динамическому dV/dt Полностью охарактеризованная емкость, лавинное напряжение и ток
Силовой МОП-транзистор в корпусе TO-247AC Функции Низкий заряд затвора Qg обеспечивает простоту управления Улучшенная устойчивость к затвору, лавинному пробою и динамическому dV/dt Полностью охарактеризованная емкость, лавинное напряжение и ток
Мощный МОП-транзистор 33 Ампер, 100 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...
Мощный МОП-транзистор 20 А, 200 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...
N-канальные HEXFET-транзисторы 400 В Технология HEXFET является ключевой в усовершенствованной линейке силовых MOSFET-транзисторов HiRel компании International Rectifier. Эффективная геометрия и уникальная обработка этой новейшей «современной» ...
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
N-канальный 200 В, 0,11 Ом тип., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET в корпусе TO-220 Силовые МОП-транзисторы, разработанные с использованием объединенного процесса MESH OVERLAY компании STMicroelectronics.
Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
