40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В МОП-транзистор H-Bridge с дополнительным режимом улучшения Этот комплементарный МОП-транзистор H-Bridge нового поколения имеет 2 канала N и 2 канала P в корпусе SOIC.
40 В МОП-транзистор H-Bridge с дополнительным режимом улучшения Этот комплементарный МОП-транзистор H-Bridge нового поколения имеет 2 канала N и 2 канала P в корпусе SOIC.
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
N-канальный МОП-транзистор логического уровня 30 В 8 мОм в LFPAK N-канальный полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе, работающий в режиме улучшения логического уровня, изготовленный по технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и ...
Режим расширения P-канала MOSFET Этот 100-вольтовый МОП-транзистор нового поколения с P-каналом в режиме улучшения качества сигнала разработан для минимизации сопротивления R DS(on) при сохранении превосходной коммутационной способности. Это ...
Режим расширения P-канала MOSFET Этот 100-вольтовый МОП-транзистор нового поколения с P-каналом в режиме улучшения качества сигнала разработан для минимизации сопротивления R DS(on) при сохранении превосходной коммутационной способности. Это ...
Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...
Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...
Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...
Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...
