Datasheets - Полевые транзисторы

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. IRFP22N60KPBF — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
   

   N-канальный мощный МОП-транзистор в корпусе TO-247-3
2. IRFP22N60K — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay IRFP22N60K
   N-канальный мощный МОП-транзистор в корпусе TO-247-3

3. SQJA80EP-T1_BE3 — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SQJA80EP SQJA80EP-T1_BE3
   

   Автомобильный N-канальный МОП-транзистор 80 В (DS) 175 °C
4. SQJA80EP-T1_GE3 — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SQJA80EP SQJA80EP-T1_GE3
   

   Автомобильный N-канальный МОП-транзистор 80 В (DS) 175 °C

5. SQJA80EP — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SQJA80EP
   Автомобильный N-канальный МОП-транзистор 80 В (DS) 175 °C
6. SI7489DP-T1-E3 — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SI7489DP SI7489DP-T1-E3
   

   P-канальный 100-В (DS) МОП-транзистор Без галогенов. Соответствует IEC 61249-2-21. Мощный МОП-транзистор TrenchFET.
7. SI7489DP-T1-GE3 — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SI7489DP SI7489DP-T1-GE3
   

   P-канальный 100-В (DS) МОП-транзистор Без галогенов. Соответствует IEC 61249-2-21. Мощный МОП-транзистор TrenchFET.
8. SI7489DP — Datasheet Vishay
   Полевые транзисторы Vishay SI7489DP
   P-канальный 100-В (DS) МОП-транзистор Без галогенов. Соответствует IEC 61249-2-21. Мощный МОП-транзистор TrenchFET.
9. FDMA430NZ — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor FDMA430NZ
   

   Одиночный N-канальный 2,5 В МОП-транзистор PowerTrench 30 В, 5,0 А, 40 мОм Этот одиночный N-канальный МОП-транзистор был разработан с использованием усовершенствованной технологии Power Trench для оптимизации RDS(on) при VGS=2,5 В на специальной ...
10. PMV65XP,215 — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XP PMV65XP,215
    

    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
11. PMV65XPVL — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XP PMV65XPVL
    

    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
12. PMV65XP — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XP
    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
13. PMV65XP — Datasheet NXP
    Полевые транзисторы NXP PMV65XP
    

    20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
14. PMV65UNEAR — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65UNEA PMV65UNEAR
    

    20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
15. PMV65UNEA — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65UNEA
    20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
16. PMV65ENEAR — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65ENEA PMV65ENEAR
    

    40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
17. PMV65ENEA — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65ENEA
    40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
18. PMV65XPER — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XPE PMV65XPER
    

    20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
19. PMV65XPE — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XPE
    20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20. PMV65XPEAR — Datasheet Nexperia
    Полевые транзисторы Nexperia PMV65XPEA PMV65XPEAR
    

    20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.