Datasheets - Полевые транзисторы
Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производители
Alpha & Omega Ampleon Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Texas Instruments Toshiba Vishay Wolfspeed НИИЭТНайдено: 7,922 Вывод: 1-20
Вид: Список / Картинки
Автомобильный P-канал 80 В (DS) 175 ° C MOSFET- Автомобильный P-канал 80 В (DS) 175 ° C MOSFET
- N-канал 1500 В, 5 Ом тип., 4 A PowerMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. Полностью ...
- N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
- Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm Не рекомендуется для новых дизайнов МОП-транзисторы, подходящие для коммутации (моторный привод и т. Д.) И переключателей нагрузки. Низкое сопротивление при включении, быстрое переключение и высокая ...
- Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm Не рекомендуется для новых дизайнов МОП-транзисторы, подходящие для коммутации (моторный привод и т. Д.) И переключателей нагрузки. Низкое сопротивление при включении, быстрое переключение и высокая ...
- N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
- МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
- МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
- МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
- МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
- МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
- N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
- N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
- N-канал 60 В - 0,022 Ом - 35 А Силовой МОП-транзистор DPAK / IPAK STripFET
- N-канальный, 60 В, 0,022 Ом, тип., 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
- Автомобильный N-канал, 60 В, 22 мОм, 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Соответствует AEC-Q101 Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
- 1,2 В Drive Pch MOSFET Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с низким потреблением тока. В широком модельном ряду, включая ...
1,2 В Drive Pch MOSFET Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с низким потреблением тока. В широком модельном ряду, включая ...
Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
