Datasheets - Полевые транзисторы

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 7,922 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Vishay SQJA81EP-T1_GE3
    Автомобильный P-канал 80 В (DS) 175 ° C MOSFET
  2. Автомобильный P-канал 80 В (DS) 175 ° C MOSFET
  3. N-канал 1500 В, 5 Ом тип., 4 A PowerMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. Полностью ...
  4. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  1. Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm Не рекомендуется для новых дизайнов МОП-транзисторы, подходящие для коммутации (моторный привод и т. Д.) И переключателей нагрузки. Низкое сопротивление при включении, быстрое переключение и высокая ...
  2. Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm To-3Pfm Не рекомендуется для новых дизайнов МОП-транзисторы, подходящие для коммутации (моторный привод и т. Д.) И переключателей нагрузки. Низкое сопротивление при включении, быстрое переключение и высокая ...
  3. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  4. МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
  5. МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
  6. МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
  7. МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
  8. МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии. По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed ...
  9. N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
  10. N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
  11. N-канал 60 В - 0,022 Ом - 35 А Силовой МОП-транзистор DPAK / IPAK STripFET
  12. N-канальный, 60 В, 0,022 Ом, тип., 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
  13. Автомобильный N-канал, 60 В, 22 мОм, 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Соответствует AEC-Q101 Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
  14. 1,2 В Drive Pch MOSFET Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с низким потреблением тока. В широком модельном ряду, включая ...
  15. Datasheet Rohm RZM001P02T2L
    1,2 В Drive Pch MOSFET Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с низким потреблением тока. В широком модельном ряду, включая ...
  16. Datasheet Nexperia BUK9V13-40HX
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор с логическим уровнем 40 В, 13 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) N-канальный МОП-транзистор с двойным логическим уровнем в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
Система электрохимического измерения концентрации газа с диагностикой датчиков CN 0429