Datasheets - Полевые транзисторы

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 7,942 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. N-канальный МОП-транзистор 30 В
  2. N-канальный МОП-транзистор 30 В
Вебинар Экономичные решения МЕAN WELL для надежных разработок - 30.09.2021
  1. МОП-транзистор с P-каналом 30 В
  2. N-канал 45 В, 1,4 мОм тип., 120 А STripFET F7 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6 Все особенности Один из самых низких R DS (включенных) на рынке Отличный FoM (добротность) Низкое соотношение C rss / C iss для защиты от электромагнитных помех ...
  1. -100 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых полевых транзисторах в корпусе TO-220AB
  2. -100 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых полевых транзисторах в корпусе TO-220AB
  3. N-канальный транзистор, работающий в режиме обогащения
  4. P-канальный полевой транзистор с вертикальным каналом, работающий в режиме обогащения
  5. N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench, 30 В
  6. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  7. N-канальный, 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220FP Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  8. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе D2PAK Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  9. N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-247 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  10. N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
  11. Datasheet Nexperia PSMNR55-40SSHJ
    N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
  12. Datasheet Nexperia BUK7S0R5-40HJ
    N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
  13. N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
  14. P-канал 8-V (DS) 175C MOSFET
  15. P-канал 8-V (DS) 175C MOSFET
  16. Datasheet NXP PMN50XP,165
    P-канальный полевой транзистор TrenchMOS с чрезвычайно низким уровнем
Прецизионный высоковольтный операционный усилитель ADA4097−1 с низким потреблением от Analog Devices