Datasheets - Полевые транзисторы

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. IGB110S101XTMA1 — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IGB110S101 IGB110S101XTMA1
   IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...
2. IGB110S101 — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IGB110S101
   IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...

3. IGC033S101XTMA1 — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IGC033S101 IGC033S101XTMA1
   IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...
4. IGC033S101 — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IGC033S101
   IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...

5. BSS308PEH6327XTSA1 — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon BSS308PE BSS308PEH6327XTSA1
   Режим улучшения P-канала Полевой транзистор (FET), -30 В, SOT-23 Infineon Technologies предлагает производителям автомобилей и промышленности широкий ассортимент N- и P-канальных МОП-транзисторов с малым сигналом, которые соответствуют и ...
6. BSS308PE — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon BSS308PE
   Режим улучшения P-канала Полевой транзистор (FET), -30 В, SOT-23 Infineon Technologies предлагает производителям автомобилей и промышленности широкий ассортимент N- и P-канальных МОП-транзисторов с малым сигналом, которые соответствуют и ...
7. IRF4905S — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IRF4905S
   -55 В одиночный P-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе D2-Pak
8. IRF4905STRLPBF — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IRF4905S IRF4905STRLPBF
   

   -55 В одиночный P-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе D2-Pak
9. IRF4905STRRPBF — Datasheet Infineon
   Полевые транзисторы Infineon IRF4905S IRF4905STRRPBF
   

   -55 В одиночный P-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе D2-Pak
10. IRF4905SPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF4905S IRF4905SPBF
    

    -55 В одиночный P-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе D2-Pak
11. BLF989EU — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF989Е BLF989EU
    

    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 1000 Вт для асимметричных вещательных приложений передатчика Догерти, который работает при средней мощности DVB-T 180 Вт. Отличная прочность этого устройства делает его идеальным для ...
12. BLF989Е — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF989Е
    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 1000 Вт для асимметричных вещательных приложений передатчика Догерти, который работает при средней мощности DVB-T 180 Вт. Отличная прочность этого устройства делает его идеальным для ...
13. BLF881S,112 — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF881S BLF881S,112
    

    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 140 Вт для применения в вещательных передатчиках и промышленных приложениях. Транзистор может выдавать 140 Вт от HF до 1 ГГц. Превосходная прочность и широкополосная ...
14. BLF881S — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF881S
    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 140 Вт для применения в вещательных передатчиках и промышленных приложениях. Транзистор может выдавать 140 Вт от HF до 1 ГГц. Превосходная прочность и широкополосная ...
15. BLF881,112 — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF881 BLF881,112
    

    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 140 Вт для применения в вещательных передатчиках и промышленных приложениях. Транзистор может выдавать 140 Вт от HF до 1 ГГц. Превосходная прочность и широкополосная ...
16. BLF881 — Datasheet Ampleon
    Полевые транзисторы Ampleon BLF881
    UHF силовой LDMOS транзистор Мощный транзистор LDMOS RF мощностью 140 Вт для применения в вещательных передатчиках и промышленных приложениях. Транзистор может выдавать 140 Вт от HF до 1 ГГц. Превосходная прочность и широкополосная ...
17. КП9171БС — Datasheet НИИЭТ
    Полевые транзисторы НИИЭТ КП9171БС
    

    Транзистор предназначен для построения мощных радиопередатчиков различной аппаратуры связи, в том числе и стандарта DVB-T. Область применения: Связь, мощные радиопередатчики стандарта DVB-T. Диапазон частот до 860 МГц Высокие значения КПД ...
18. КП9171А — Datasheet НИИЭТ
    Полевые транзисторы НИИЭТ КП9171А
    

    Транзистор предназначен для построения мощных радиопередатчиков различной аппаратуры связи, в том числе и стандарта DVB-T. Область применения: Связь, мощные радиопередатчики стандарта DVB-T. Диапазон частот до 860 МГц Высокие значения КПД ...
19. AO3401 — Datasheet Alpha & Omega
    Полевые транзисторы Alpha & Omega AO3401
    МОП-транзистор с P-каналом 30 В AO3401 использует передовую технологию траншей, чтобы обеспечить превосходное RDS(ON), низкий заряд затвора и работу при напряжении затвора до 2,5 В. Это устройство подходит для использования в качестве переключателя ...
20. FDC604P — Datasheet Fairchild
    Полевые транзисторы Fairchild FDC604P
    P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V MOSFET производится по технологии Fairchild PowerTrench. Оптимизирован для приложений управления питанием от батареи.