Datasheets - Полевые транзисторы

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. DMP10H400SK3-13 — Datasheet Diodes
   Полевые транзисторы Diodes DMP10H400SK3 DMP10H400SK3-13
   

   Режим расширения P-канала MOSFET Этот 100-вольтовый МОП-транзистор нового поколения с P-каналом в режиме улучшения качества сигнала разработан для минимизации сопротивления R DS(on) при сохранении превосходной коммутационной способности. Это ...
2. DMP10H400SK3 — Datasheet Diodes
   Полевые транзисторы Diodes DMP10H400SK3
   Режим расширения P-канала MOSFET Этот 100-вольтовый МОП-транзистор нового поколения с P-каналом в режиме улучшения качества сигнала разработан для минимизации сопротивления R DS(on) при сохранении превосходной коммутационной способности. Это ...

3. CLP24H4S30PZ — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PZ
   

   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...
4. CLP24H4S30PXY — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLP24H4S30P CLP24H4S30PXY
   

   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...

5. CLP24H4S30P — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLP24H4S30P
   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 30 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывного излучения (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от ...
6. CLF24H4LS300PJ — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLF24H4LS300P CLF24H4LS300PJ
   

   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...
7. CLF24H4LS300P — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLF24H4LS300P
   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...
8. CLF24H4LS300PU — Datasheet Ampleon
   Полевые транзисторы Ampleon CLF24H4LS300P CLF24H4LS300PU
   

   Мощный радиочастотный GaN-SiC транзистор Мощный транзистор GaN-SiC HEMT мощностью 300 Вт, оптимизированный для лучшей мощности непрерывной волны (CW) и эффективности для применения в кулинарии, промышленности, науке и медицине на частотах от 2400 ...
9. RV2C010UNT2L — Datasheet Rohm
   Полевые транзисторы Rohm RV2C010UN RV2C010UNT2L
   

   20 В 1 А N-канальный силовой МОП-транзистор Ультракомпактный корпус (размер 1006) RV2C010UN подходит для портативных устройств.
10. RV2C010UN — Datasheet Rohm
    Полевые транзисторы Rohm RV2C010UN
    20 В 1 А N-канальный силовой МОП-транзистор Ультракомпактный корпус (размер 1006) RV2C010UN подходит для портативных устройств.
11. RTR020P02TL — Datasheet Rohm
    Полевые транзисторы Rohm RTR020P02 RTR020P02TL
    

    2,5 В драйвер P-канального МОП-транзистора Объявлено о прекращении выпуска продукции (EOL).
12. RTR020P02 — Datasheet Rohm
    Полевые транзисторы Rohm RTR020P02
    2,5 В драйвер P-канального МОП-транзистора Объявлено о прекращении выпуска продукции (EOL).
13. IRF250 — Datasheet Inchange Semiconductor
    Полевые транзисторы Inchange Semiconductor IRF250
    N-канальный МОП-транзистор в корпусе TO-3
14. RUC002N05 — Datasheet Rohm
    Полевые транзисторы Rohm RUC002N05
    

    1.2V привод Nch MOSFET Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с низким потреблением тока. В широком модельном ряду, включая ...
15. IGB110S101XTMA1 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IGB110S101 IGB110S101XTMA1
    IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...
16. IGB110S101 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IGB110S101
    IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...
17. IGC033S101XTMA1 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IGC033S101 IGC033S101XTMA1
    IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...
18. IGC033S101 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IGC033S101
    IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...
19. BSS308PEH6327XTSA1 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon BSS308PE BSS308PEH6327XTSA1
    Режим улучшения P-канала Полевой транзистор (FET), -30 В, SOT-23 Infineon Technologies предлагает производителям автомобилей и промышленности широкий ассортимент N- и P-канальных МОП-транзисторов с малым сигналом, которые соответствуют и ...
20. BSS308PE — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon BSS308PE
    Режим улучшения P-канала Полевой транзистор (FET), -30 В, SOT-23 Infineon Technologies предлагает производителям автомобилей и промышленности широкий ассортимент N- и P-канальных МОП-транзисторов с малым сигналом, которые соответствуют и ...