Datasheets - Полевые транзисторы

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 7,812 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Vishay SiZF300DT-T1-GE3
    Двойной N-канальный 30 В (DS) МОП-транзистор с диодом Шоттки
  2. Двойной N-канальный 30 В (DS) МОП-транзистор с диодом Шоттки
  3. ВЧ / ОВЧ транзистор LDMOS Мощный транзистор LDMOS мощностью 1200 Вт для радиовещательных и промышленных применений в диапазоне высоких частот до 700 МГц.
  4. Datasheet Ampleon BLF978PU
    ВЧ / ОВЧ транзистор LDMOS Мощный транзистор LDMOS мощностью 1200 Вт для радиовещательных и промышленных применений в диапазоне высоких частот до 700 МГц.
  1. ВЧ / ОВЧ транзистор LDMOS Мощный транзистор LDMOS мощностью 500 Вт для радиовещательных и промышленных применений в диапазоне высоких частот до 700 МГц.
  2. Datasheet Ampleon BLF974PU
    ВЧ / ОВЧ транзистор LDMOS Мощный транзистор LDMOS мощностью 500 Вт для радиовещательных и промышленных применений в диапазоне высоких частот до 700 МГц.
  3. 30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что ...
  4. 30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что ...
  5. HEXFET мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, R DS ( вкл ) = 16,5 мОм, I D = 30 А, TO-220AB
  6. HEXFET мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, RDS ( вкл ) = 0,035 Ом, I D = 30 А, TO-220AB
  7. МОП-транзистор, 55 В, 12 А, ТО-220 Характеристики: Непрерывный Ток Стока: 12 А Максимальный Ток Id: -12 А Текущая температура: 25 ° C Напряжение источника стока Vds: 55 В Полная мощность Номинальная температура: 25 ° C Теплостойкость перехода A в ...
  8. Datasheet International Rectifier IRF9Z24NPBF
    МОП-транзистор, 55 В, 12 А, ТО-220 Характеристики: Непрерывный Ток Стока: 12 А Максимальный Ток Id: -12 А Текущая температура: 25 C Напряжение источника стока Vds: 55 В Полная мощность Номинальная температура: 25 C Теплостойкость перехода A в ...
  9. Silicon Carbide MOSFET, Enhancement Mode
  10. N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе D2PAK Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения. Эти революционные силовые полевые ...
  11. N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе TO-220 Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения. Эти революционные силовые полевые ...
  12. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  13. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  14. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  15. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  16. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...