Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheets - Полевые транзисторы

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,108 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
  2. Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet Vishay IRFZ24PbF
    Силовой MOSFET Силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам лучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления в открытом состоянии и экономической эффективности.
  2. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  1. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  2. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  3. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  4. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  5. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  6. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  7. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  8. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  9. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  10. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  11. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  12. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  13. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  14. Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
  15. Одиночный P-канальный PowerTrench MOSFET -30 В, -11 А, 14 мОм Этот МОП-транзистор P-канального логического уровня изготовлен с использованием передовой технологии PowerTrench, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в ...
  16. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2361
    EPC2361: Силовой GaN-транзистор расширенного режима, 100 В, 101 А. Исключительно высокая подвижность электронов и низкий температурный коэффициент нитрида галлия обеспечивают очень низкий RDS(on), в то время как его боковая структура устройства и ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России