Одиночный N-канальный 2,5 В МОП-транзистор PowerTrench 30 В, 5,0 А, 40 мОм Этот одиночный N-канальный МОП-транзистор был разработан с использованием усовершенствованной технологии Power Trench для оптимизации RDS(on) при VGS=2,5 В на специальной ...
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
2,5 В драйверный N-канальный МОП-транзистор (сертифицированный AEC-Q101) в корпусе SOT-323 Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с ...
2,5 В драйверный N-канальный МОП-транзистор (сертифицированный AEC-Q101) в корпусе SOT-323 Полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии благодаря технологиям микропроцессора, подходящим для мобильного оборудования с ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
40 В +175 C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности. Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для ...
