Datasheets - Полевые транзисторы
Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производители
Alpha & Omega Ampleon Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Texas Instruments Toshiba Vishay Wolfspeed НИИЭТНайдено: 7,852 Вывод: 1-20
Вид: Список / Картинки
- Силовой GaN-транзистор, 170 В, 102 А
- 600 В, aMOS5 TOLL для ИИП с высокой плотностью и надежностью
- Полевой транзистор с двойным P-каналом в режиме улучшения
- Автомобильные двухканальные МОП-транзисторы с N-каналом, 60 В (DS), 175 ° C
Автомобильные двухканальные МОП-транзисторы с N-каналом, 60 В (DS), 175 ° C- МОП-транзистор HEXFET
- Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором 55 В в корпусе TO-220AB
Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором 55 В в корпусе TO-220AB- Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором 55 В в корпусе TO-220AB
- Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором 55 В в корпусе TO-220AB
Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.) IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET ...- Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.) IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET ...
Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с ведущим в отрасли R DS (on) Infineon расширил свое инновационное семейство Source-Down, добавив IQE013N04LM6 1,35 мОм, 40 В в корпусе 3,3x3,3 PQFN. Этот ...- Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с ведущим в отрасли R DS (on) Infineon расширил свое инновационное семейство Source-Down, добавив IQE013N04LM6 1,35 мОм, 40 В в корпусе 3,3x3,3 PQFN. Этот ...
- Один P-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench, 2,5 В
- N-канальный полевой МОП-транзистор В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов высокой плотности от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости ...
- N-канальный полевой МОП-транзистор В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов высокой плотности от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости ...
- N-канальный полевой МОП-транзистор В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов высокой плотности от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости ...
- N-канальный полевой МОП-транзистор В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов высокой плотности от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости ...
Силовые SiC МОП-транзисторы
