Datasheets - Полевые транзисторы
Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производители
Alpha & Omega Ampleon Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Texas Instruments Toshiba Vishay Wolfspeed НИИЭТНайдено: 7,942 Вывод: 1-20
Вид: Список / Картинки
- N-канальный МОП-транзистор 30 В
- N-канальный МОП-транзистор 30 В
- МОП-транзистор с P-каналом 30 В
- N-канал 45 В, 1,4 мОм тип., 120 А STripFET F7 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6 Все особенности Один из самых низких R DS (включенных) на рынке Отличный FoM (добротность) Низкое соотношение C rss / C iss для защиты от электромагнитных помех ...
- -100 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых полевых транзисторах в корпусе TO-220AB
- -100 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых полевых транзисторах в корпусе TO-220AB
- N-канальный транзистор, работающий в режиме обогащения
- P-канальный полевой транзистор с вертикальным каналом, работающий в режиме обогащения
- N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench, 30 В
- N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
- N-канальный, 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220FP Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
- N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе D2PAK Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
- N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-247 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
- N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...
N-канальный 40-вольтовый MOSFET в корпусе LFPAK88 с RDS(on) 0.55 мОм Постоянный ток 500 А, управление затвором стандартного уровня, N-канальный MOSFET в режиме улучшения в корпусе LFPAK88. Семейство NextPowerS3, использующее уникальную технологию ...- N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
- N-канал 40 В, полевой МОП-транзистор стандартного уровня 0,5 мОм в LFPAK88 N-канальный полевой МОП-транзистор с N-каналом, отвечающий требованиям автомобильной промышленности, использующий новейшую технологию низкоомного сверхперехода Trench 9, ...
- P-канал 8-V (DS) 175C MOSFET
- P-канал 8-V (DS) 175C MOSFET
P-канальный полевой транзистор TrenchMOS с чрезвычайно низким уровнем
