Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheets - Полевые транзисторы IXYS

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "IXYS"
Найдено: 182 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
  2. Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
  2. Мощные МОП-транзисторы TrenchP Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера ...
  1. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  2. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  3. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения ...
  4. Datasheet IXYS IXTA3N50D2
    Depletion Mode N-Channel MOSFET
  5. Datasheet IXYS IXTP3N50D2
    Depletion Mode N-Channel MOSFET
  6. Datasheet IXUC120N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
    Наименование модели: IXUC120N10 Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ADVANCE TECHNICAL INFORMATION Trench Power MOSFET IXUC 120N10 ISOPLUS220TM Electrically Isolated Back ...
  7. Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK
    Наименование модели: IXTY1R4N60P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1 А Drain Source Voltage Vds: 600 В On State Resistance: 9 Ом Корпус ...
  8. Datasheet IXTP8N50PM - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
    Наименование модели: IXTP8N50PM Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information PolarHVTM Power MOSFET (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement ...
  9. Datasheet IXTP2N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
    Наименование модели: IXTP2N100 Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: High Voltage MOSFET N-Channel Enhancement Mode IXTA 2N100 IXTP 2N100 VDSS = 1000 V ID25 =2A RDS(on) = 7 ...
  10. Datasheet IXTP1R6N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
    Наименование модели: IXTP1R6N50P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTP 1R6N50P IXTY 1R6N50P VDSS ID25 ...
  11. Datasheet IXTH20N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-247
    Наименование модели: IXTH20N60 Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MegaMOSTMFET IXTH 20N60 IXTM 20N60 VDSS = 600 V = 20 A ID25 RDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement Mode Symbol ...
  12. Datasheet IXKC25N80C - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
    Наименование модели: IXKC25N80C Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 20 А Drain Source Voltage Vds: 800 В On State Resistance: 150 МОм Корпус ...
  13. Datasheet IXKC20N60C - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220
    Наименование модели: IXKC20N60C Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: CoolMOSTM Power MOSFET IXKC 20N60C in ISOPLUS220TM Package Electrically Isolated Back Surface N-Channel ...
  14. Datasheet IXFV30N60PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220
    Наименование модели: IXFV30N60PS Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated IXFH ...
  15. Datasheet IXFT96N20P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268
    Наименование модели: IXFT96N20P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, TO-268 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH 96N20P ...
  16. Datasheet IXFR180N10 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247
    Наименование модели: IXFR180N10 Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N10 VDSS = 100 ISOPLUS247TM ID25 = 165 (Electrically Isolated Back ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России