Datasheets - Полевые транзисторы ON Semiconductor

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. NDS331N — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS331N
   N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
2. FDN340P — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor FDN340P
   Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...

3. NDS351AN — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS351AN
   N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
4. HUF75652G3 — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor HUF75652G3
   N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 В, 75 А, 8 мОм

5. BSS123 — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor BSS123
   N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот продукт был разработан для ...
6. MTP3N60E/D — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP3N60E MTP3N60E/D
   TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться. Это новое ...
7. BS108G — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor BS108 BS108G
   Малый сигнальный МОП-транзистор 200 В, 250 мА, 10 Ом, одиночный N-канальный логический уровень TO-92 Этот МОП-транзистор предназначен для высоковольтных и высокоскоростных коммутационных приложений, таких как линейные драйверы, драйверы реле, ...
8. FDV303N — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor FDV303N
   N-канальный цифровой полевой транзистор 25 В, 0,68 А, 0,45 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью ...
9. MTP36N06V — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP36N06V
   Силовой полевой МОП-транзистор, 32 А, 60 В, N-канал, TO-220 Это устройство устарело.
10. NTD4815NH — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD4815NH
    Силовой полевой МОП-транзистор 30 В, 35 А, 15 мОм, одиночный N-канальный DPAK Силовой полевой МОП-транзистор 30 В, 35 А, один канал N, DPAK / IPAK
11. NTD6600N-1G — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD6600N NTD6600N-1G
    Силовой MOSFET Силовой полевой МОП-транзистор 100 В, 12 А, канал N, логический уровень DPAK
12. NTH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTH4L015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
13. NVH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NVH4L015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
14. NTBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTBG015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,3 мОм, D2PAK − 7L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
15. NVBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NVBG015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, D2PAK − 7L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
16. MTP2P50E — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP2P50E
    Силовой полевой МОП-транзистор -500 В -2 А, 6 Ом, одиночный P-канал TO-220 В этом высоковольтном полевом МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема оконечной нагрузки, обеспечивающая расширенные возможности блокировки по напряжению без ...
17. FDC6312P — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor FDC6312P
    Двойной P-канал PowerTrench МОП-транзистор, указано 1,8 В, -20 В, -2,3 А, 115 мОм
18. FDS6890A — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor FDS6890A
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench, 2,5 В, 20 В, 7,5 А, 18 мОм
19. FDN304P — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor FDN304P
    P-канал 1,8 В, указанный PowerTrench МОП-транзистор -20 В, -2,4 А, 52 мОм
20. NTZD3155CT1G — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTZD3155C NTZD3155CT1G
    Дополнительный МОП-транзистор малого сигнала с защитой от электростатических разрядов 20 В

Сортировать по: релевантность / дата