Муфты электромонтажные от производителя Fucon
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsПолевые транзисторы
STMicroelectronics

Datasheets - Полевые транзисторы STMicroelectronics

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "STMicroelectronics"
Производители
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed НИИЭТ
Серии
BUZ171 BUZ71 IRF530 STB11NM60T4 STB75NF75 STB9NK90Z STD12NE06 STD30NF06 STD30NF06L STD30NF06LAG STD30NF06LT4 STD30PF03 STD4NK50Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZT4 STF9NK90Z STFW4N150 STL200N45LF7 STL42P6LLF6 STP11NM60 STP4N150 STP4NK50Z STP4NK50ZFP STP75NF75 STP75NF75FP STP9NK90Z STW4N150 STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW9NK90Z STWA88N65M5
Найдено: 724 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50Z
    N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
  2. STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4NK50ZFP
    N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4NK50Z
    N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
  2. STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50ZT4
    N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
  1. STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD4NK50Z-1
    N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
  2. STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP75NF75
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  3. STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP75NF75FP
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  4. STB75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STB75NF75
    Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  5. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics BUZ171
    SIPMOS Power Transistor
  6. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics BUZ71
    N-канальный 50 В -0,085 Ом -17 А TO-220 STripFET Силовой МОП-транзистор
  7. STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STL200N45LF7
    N-канал 45 В, 1,4 мОм тип., 120 А STripFET F7 Power MOSFET в корпусе PowerFLAT 5x6 Все особенности Один из самых низких R DS (включенных) на рынке Отличный FoM (добротность) Низкое соотношение C rss / C iss для защиты от электромагнитных помех ...
  8. STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  9. STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STF9NK90Z
    N-канальный, 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-220FP Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  10. STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STB9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе D2PAK Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  11. STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STW9NK90Z
    N-канал 900 В, 1,1 Ом, 8 A SuperMESH Power MOSFET в корпусе TO-247 Все особенности Чрезвычайно высокая способность dv / dt Заряд ворот минимизирован 100% лавинные испытания
  12. STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STP4N150
    N-канал 1500 В, 5 Ом тип., 4 A PowerMESH Power MOSFET в корпусе TO-220 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. Полностью ...
  13. STFW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STFW4N150
    N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  14. STW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STW4N150
    N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  15. STD30NF06 — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD30NF06
    N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
  16. STD30NF06L — Datasheet STMicroelectronics
    Полевые транзисторы STMicroelectronics STD30NF06L
    N-канал 60 В - 0,022 Ом - 35 А Силовой МОП-транзистор DPAK / IPAK STripFET

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров