HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheets - Полевые транзисторы - 3

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,108 Вывод: 41-60

Вид: Список / Картинки

  1. N-канальные 20-В (DS) МОП-транзисторы
  2. N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...
  2. В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  1. В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  2. В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  3. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  4. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  5. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  6. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  7. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  8. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  9. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  10. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  11. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  12. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  13. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  14. N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  15. N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  16. N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России