30-вольтовый одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET в корпусе TO-220AB Усовершенствованные силовые МОП-транзисторы HEXFET® компании International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого ...
TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться. Это новое ...
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе I-Pak Семейство мощных полевых МОП-транзисторов StrongIRFET оптимизировано для работы с низким RDS(on) и высоким током. Устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, ...
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе I-Pak Семейство мощных полевых МОП-транзисторов StrongIRFET оптимизировано для работы с низким RDS(on) и высоким током. Устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, ...
Одиночный силовой МОП-транзистор N-Channel StrongIRFET 30 В в корпусе TO-220 Семейство силовых полевых МОП-транзисторов StrongIRFET оптимизировано для работы с низким R DS ( включено ) и высоким током. Устройства идеально подходят для ...
Одиночный силовой МОП-транзистор N-Channel StrongIRFET 30 В в корпусе TO-220 Семейство силовых полевых МОП-транзисторов StrongIRFET оптимизировано для работы с низким R DS ( включено ) и высоким током. Устройства идеально подходят для ...
P-канальный силовой МОП-транзистор Эти продукты представляют собой силовые МОП-транзисторы с каналом P, изготовленные с использованием процесса MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем БИС, ...
P-канальный силовой МОП-транзистор Эти продукты представляют собой силовые МОП-транзисторы с каналом P, изготовленные с использованием процесса MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем БИС, ...
P-канальный силовой МОП-транзистор Эти продукты представляют собой силовые МОП-транзисторы с каналом P, изготовленные с использованием процесса MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем БИС, ...
P-канальный силовой МОП-транзистор Эти продукты представляют собой силовые МОП-транзисторы с каналом P, изготовленные с использованием процесса MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем БИС, ...
P-канальный силовой МОП-транзистор Эти продукты представляют собой силовые МОП-транзисторы с каналом P, изготовленные с использованием процесса MegaFET. Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем БИС, ...
