Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Datasheets » IGBT транзисторы

DataSheets: IGBT транзисторы

Производители:
Найдено: 608   Вывод: 1-20
Показывать: списком картинками
  1. The F Series Protected IGBT combines a 1350 V, 20 A IGBT in RC-H5 technology with a unique protecting gate driver IC together in a TO-247 6-pin package for induction cooking applications.
  2. The F Series Protected IGBT combines a 1350 V, 20 A IGBT in RC-H5 technology with a unique protecting gate driver IC together in a TO-247 6-pin package for induction cooking applications.
  3. Datasheet SKW07N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247
    Наименование модели: SKW07N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SKW07N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode · ...
  4. Datasheet SGW25N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW25N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGW25N120 Fast IGBT in NPT-technology · 40% lower Eoff compared to previous generation · ...
  5. Datasheet SGW15N60 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW15N60 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGP15N60 SGW15N60 Fast IGBT in NPT-technology · 75% lower Eoff compared to previous generation ...
  6. Datasheet SGP02N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3
    Наименование модели: SGP02N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3 Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В DC Collector Current: 6.2 А Pulsed Current Icm: ...
  7. Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3
    Наименование модели: NGTG15N60S1EG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTG15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ...
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Срезы ↓
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru