Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Datasheets » IGBT транзисторы

DataSheets: IGBT транзисторы

Производители:
Найдено: 606   Вывод: 1-20
Показывать: списком картинками
  1. Datasheet SKW07N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247
    Наименование модели: SKW07N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SKW07N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode · ...
  2. Datasheet SGW25N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW25N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 46 А, 313 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGW25N120 Fast IGBT in NPT-technology · 40% lower Eoff compared to previous generation · ...
  3. Datasheet SGW15N60 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3
    Наименование модели: SGW15N60 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 600 В, 31 А, 139 Вт, TO247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SGP15N60 SGW15N60 Fast IGBT in NPT-technology · 75% lower Eoff compared to previous generation ...
  4. Datasheet SGP02N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3
    Наименование модели: SGP02N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3 Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В DC Collector Current: 6.2 А Pulsed Current Icm: ...
  5. Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3
    Наименование модели: NGTG15N60S1EG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTG15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ...
  6. Datasheet NGTB25N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3
    Наименование модели: NGTB25N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB25N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and ...
  7. Datasheet NGTB20N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3
    Наименование модели: NGTB20N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB20N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and ...
 Страницы:
← предыдущая   следующая →

Срезы ↓
Реле напряжения РН-111
Реле напряжения РН-111
Для отключения однофазной нагрузки 220 В, 50 Гц при недопустимых колебаниях.
Цена: от 990 руб.
Доставка: Россия
Астрономический для уличного освещения таймер РЭВ-225
Астрономический таймер для уличного освещения РЭВ-225
Автоматически вычисляется время восхода и заката солнца на основе введенных координат и текущего времени, позволяя управлять освещением без использования внешних датчиков.
Цена: от 1500 руб.
Доставка: Россия
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru