Клеммные колодки Keen Side

Datasheets - IGBT транзисторы

Подраздел: "IGBT транзисторы"
Найдено: 624 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. 360 В PDP Trench IGBT Используя новую технологию траншейных IGBT, новая серия траншейных IGBT компании ON Semiconductor обеспечивает оптимальную производительность для бытовых приборов и плазменных телевизоров, где важны низкие потери проводимости ...
  2. 360 В PDP Trench IGBT Используя новую технологию траншейных IGBT, новая серия траншейных IGBT компании ON Semiconductor обеспечивает оптимальную производительность для бытовых приборов и плазменных телевизоров, где важны низкие потери проводимости ...
  1. 360 В PDP Trench IGBT Используя новую технологию траншейных IGBT, новая серия траншейных IGBT компании ON Semiconductor обеспечивает оптимальную производительность для бытовых приборов и плазменных телевизоров, где важны низкие потери проводимости ...
  2. Быстрый IGBT
  1. 1200 В UltraFast 5-40 кГц Copack IGBT в корпусе TO-247AC
  2. 1200 В UltraFast 5-40 кГц Copack IGBT в корпусе TO-247AC
  3. 1200 В UltraFast 5-40 кГц Copack IGBT в корпусе TO-247AC
  4. Datasheet Infineon IRG4PH50UDPBF
    1200 В UltraFast 5-40 кГц Copack IGBT в корпусе TO-247AC
  5. 1200 В UltraFast 5-40 кГц Copack IGBT в корпусе TO-247AC
  6. Datasheet Infineon IRG4PH40UD2-EP
    Упакованный IGBT 1200 В в корпус TO-247AD со сверхбыстрым восстанавливающимся диодом 5-40 кГц.
  7. Упакованный IGBT 1200 В в корпус TO-247AD со сверхбыстрым восстанавливающимся диодом 5-40 кГц.
  8. IGBT с полевым затвором Trench Gate, 650 В, 50 А, мягкое переключение серии IH в корпусе с длинными выводами TO-247
  9. Блокировочный транзистор Trench Gate 650 В, 40 А, с мягким переключением серии IH IGBT в корпусе с длинными выводами TO-247
  10. 650 В полевой стопор IGBT
  11. 650 В полевой стопор IGBT
  12. 650 В полевой стопор IGBT в TO247 DGTD65T40S2PT производится с использованием передовой технологии Field Stop Trench IGBT, которая обеспечивает превосходное качество и высокую производительность переключения.
  13. 650 В полевой стопор IGBT DGTD65T15H2TF производится с использованием передовой технологии Field Stop Trench IGBT, которая обеспечивает высокую производительность, превосходное качество и высокую надежность.
  14. 1200 В полевой стопор IGBT
  15. 1200 В полевой стопор IGBT
  16. Защищенный IGBT серии F объединяет IGBT 1350 В, 20 А по технологии RC-H5 с уникальной микросхемой драйвера защитного затвора в 6-контактном корпусе TO-247 для индукционных варочных панелей.
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка