HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheets - IGBT транзисторы - 7

Подраздел: "IGBT транзисторы"
Найдено: 621 Вывод: 121-140

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet IRG7PH35UDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, DIODE, 1200 В, 50  А, TO-247AC
    Наименование модели: IRG7PH35UDPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, DIODE, 1200 В, 50 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD-96288 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY ...
  2. Datasheet IRG7PH30K10PBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, 1200 В, 33  А, TO-247AC
    Наименование модели: IRG7PH30K10PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, 1200 В, 33 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96156A IRG7PH30K10PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features · · · · · ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet IRG7PH30K10DPBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, 1200 В, 30  А, TO-247AC
    Наименование модели: IRG7PH30K10DPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, 1200 В, 30 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97403 IRG7PH30K10DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST ...
  2. Datasheet GA100XCP12-227 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 100 А, SOT-227
    Наименование модели: GA100XCP12-227 Производитель: Genesic Semiconductor Описание: IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 100 А, SOT-227 Скачать Data Sheet Спецификации: Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В DC Collector Current: 100 А ...
  1. Datasheet VS-GB50LA120UX - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GB50LA120UX Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GB50LA120UX Vishay Semiconductors Low Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 A ...
  2. Datasheet VS-GB50NA120UX - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GB50NA120UX Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GB50NA120UX Vishay Semiconductors High Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 A ...
  3. Datasheet VS-GB70LA60UF - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GB70LA60UF Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GB70LA60UF Vishay Semiconductors Low Side Chopper IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A ...
  4. Datasheet VS-GB70NA60UF - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GB70NA60UF Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GB70NA60UF Vishay Semiconductors High Side Chopper IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A ...
  5. Datasheet VS-GT100DA120U - Vishay Даташит IGBT, CHOPPER, 1200 В, 100  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GT100DA120U Производитель: Vishay Описание: IGBT, CHOPPER, 1200 В, 100 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT100DA120U Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A ...
  6. Datasheet VS-GT100DA60U - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 100  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GT100DA60U Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 100 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT100DA60U Vishay Semiconductors Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A ...
  7. Datasheet VS-GT100LA120UX - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 100  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GT100LA120UX Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 100 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT100LA120UX Vishay Semiconductors Low Side Chopper IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A ...
  8. Datasheet VS-GT100NA120UX - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50  А, SOT227
    Наименование модели: VS-GT100NA120UX Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GT100NA120UX Vishay Semiconductors High Side Chopper IGBT SOT-227 (Trench IGBT), 100 A ...
  9. Datasheet VS-HFA120FA120P - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 120  А, SOT227
    Наименование модели: VS-HFA120FA120P Производитель: Vishay Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 120 А, SOT227 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: HFA120FA120P Vishay Semiconductors HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 120 A FEATURES ...
  10. Datasheet STGP10NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220
    Наименование модели: STGP10NB60SD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGP10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESHTM IGBT General features Type STGP10NB60SD VCES ...
  11. Datasheet IXER35N120D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247
    Наименование модели: IXER35N120D1 Производитель: IXYS Описание: IGBT, ISOPLUS247 Спецификации: DC Collector Current: 50 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В Power Dissipation Max: 200 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV Корпус ...
  12. Datasheet IRGS10B60KDPBF - International Rectifier Даташит Одиночный IGBT, 600 В, 22 А
    Наименование модели: IRGS10B60KDPBF Производитель: International Rectifier Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 22 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94925A INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C ...
  13. Datasheet IKA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3  А, TO-220
    Наименование модели: IKA03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IKA03N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C · · Designed ...
  14. Datasheet IGP03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3.9  А, TO-220
    Наименование модели: IGP03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGP03N120H2 IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology C · Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ...
  15. Datasheet IGD01N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 1.3  А, D-PAK
    Наименование модели: IGD01N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT, N, 1200 В, 1.3 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGP01N120H2 IGD01N120H2 HighSpeed 2-Technology C · Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter ...
  16. Datasheet IRG4RC10SDTRPBF - International Rectifier Даташит IGBT, COPAK, D-PAK
    Наименование модели: IRG4RC10SDTRPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, COPAK, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD-91678B IRG4RC10SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России