Модуль IGBT, двойной, SPT, 1200 В, 100 А Технические характеристики: Av ток Ic: 100 А Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1,15 В Ток Ic Непрерывный Макс.: 100 А Ток Ic Непрерывный b Макс.: 70 А Текущая ...