Наименование модели: SI3588DV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 20 В, TSOP Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Drain Source Voltage Vds: 20 В Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ Power ...
Наименование модели: SI3586DV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 2.5 А, TSOP Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Continuous Drain Current Id: 2.5 А Drain Source Voltage Vds: 20 В ...
Наименование модели: SI3585DV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Сдвоенный N/P CH полевой транзистор, 20 В, 1.8 А, TSOP Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain Source Voltage Vds: 20 В ...
Наименование модели: SI3552DV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 30 В, TSOP Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Drain Source Voltage Vds: 30 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В Power ...
Наименование модели: SI1026X-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, SC-89 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 500 мА Drain Source Voltage Vds: 60 ...
Наименование модели: VNS3NV04D-E Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор мощность AUTOPROTECT 8-SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VNS3NV04D-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features Max ...
Наименование модели: STS4DPF20L Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор P CH сдвоенный 20 В 4 А 8-SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFETTM POWER MOSFET TYPE ...