На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheets - Биполярные транзисторные сборки и модули - 5

Подраздел: "Биполярные транзисторные сборки и модули"
Найдено: 406 Вывод: 81-100

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet MAT14ARZ - Analog Devices Даташит Транзистор, NPN, счетверенный, 40 В, 30 мА, 14SOIC
    Наименование модели: MAT14ARZ Производитель: Analog Devices Описание: Транзистор, NPN, счетверенный, 40 В, 30 мА, 14SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Matched Monolithic Quad Transistor MAT14 FEATURES Low offset voltage: 400 µV ...
  2. Datasheet MAT12AHZ - Analog Devices Даташит Транзистор, NPN, сдвоенный MATCHED, 6TO-78
    Наименование модели: MAT12AHZ Производитель: Analog Devices Описание: Транзистор, NPN, сдвоенный MATCHED, 6TO-78 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Audio, Dual-Matched NPN Transistor MAT12 FEATURES Very low voltage noise: 1 nV/Hz ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet DMMT5551S - Diodes Даташит TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26
    Наименование модели: DMMT5551S Производитель: Diodes Описание: TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DMMT5551/DMMT5551S MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features · · · · · · · ...
  2. Datasheet DMMT3904W - Diodes Даташит TRANS, NPNNPN MAT, 40 В, 0.2 А, SOT363
    Наименование модели: DMMT3904W Производитель: Diodes Описание: TRANS, NPNNPN MAT, 40 В, 0.2 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DMMT3904W MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features · · · · · · Epitaxial Planar ...
  1. Datasheet PUMX1 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363
    Наименование модели: PUMX1 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PUMX1 40 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor Rev. 04 -- 20 January 2010 Product data sheet 1. ...
  2. Datasheet MJB5742T4G - ON Semiconductor Даташит TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB
    Наименование модели: MJB5742T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: TRANS, DARL, NPN, 400 В, 8 А, TO263AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors The Darlington transistors are ...
  3. Datasheet ULN2003ADR2G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC
    Наименование модели: ULN2003ADR2G Производитель: ON Semiconductor Описание: Составной транзистор Дарлингтона ARRAY, NPN, 7, 50 В, SOIC Спецификации: Полярность транзистора: NPN Рабочий диапазон температрур: -20°C .. +85°C Количество выводов: 16 ...
  4. Datasheet MUN5312DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 22K/22KOHM, SOT-363
    Наименование модели: MUN5312DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 22K/22KOHM, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рассеиваемая мощность: 187 мВт DC ...
  5. Datasheet MJB44H11T4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, NPN, 80 В, D2-PAK
    Наименование модели: MJB44H11T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Мощность транзистор, NPN, 80 В, D2-PAK Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В Transition Frequency Typ ft: 50 МГц ...
  6. Datasheet MJB42CT4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -100 В D2-PAK
    Наименование модели: MJB42CT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Мощность транзистор, PNP, -100 В D2-PAK Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В Transition Frequency Typ ft: 3 МГц ...
  7. Datasheet MJB41CT4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, NPN, 100 В, D2-PAK
    Наименование модели: MJB41CT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Мощность транзистор, NPN, 100 В, D2-PAK Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В Transition Frequency Typ ft: 3 МГц ...
  8. Datasheet MUN5335DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 47K/2.2KOHM, SOT363
    Наименование модели: MUN5335DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 47K/2.2KOHM, SOT363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN & PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рассеиваемая мощность: 187 мВт DC ...
  9. Datasheet MUN5313DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 47K/47KOHM, SC88
    Наименование модели: MUN5313DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 47K/47KOHM, SC88 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MUN5311DW1T1G Series Dual Bias Resistor Transistors Preferred Devices NPN and PNP ...
  10. Datasheet MUN5230DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363
    Наименование модели: MUN5230DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 1K/1KOHM, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MUN5211DW1T1G Series Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon ...
  11. Datasheet MUN5111DW1T1G - ON Semiconductor Даташит BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363
    Наименование модели: MUN5111DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MUN5111DW1T1G Series Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors PNP ...
  12. Datasheet ULQ2004A - STMicroelectronics Даташит DARLINGTON ARRAY, 2803, DIP18
    Наименование модели: ULQ2004A Производитель: STMicroelectronics Описание: DARLINGTON ARRAY, 2803, DIP18 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® ULN2801A ULN2802A - ULN2803A ULN2804A - ULN2805A EIGHT DARLINGTON ARRAYS . . . . . . . EIGHT ...
  13. Datasheet PUMH19 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMH19 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  14. Datasheet PUMH15 - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363
    Наименование модели: PUMH15 Производитель: NXP Описание: Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  15. Datasheet PUMF12 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMF12 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  16. Datasheet PUMB9 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMB9 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России