Муфты электромонтажные от производителя Fucon
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsПолевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)
SemiSouth

Datasheets - Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth

Подраздел: "Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)"
Производитель: "SemiSouth"
Производители
Calogic Central Semiconductor Fairchild Genesic Semiconductor InterFET Linear Systems New Jersey Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Sanyo Semelab SemiSouth Solid State Vishay
Найдено: 9 Вывод: 1-9

Вид: Список / Картинки

  1. SJDP120R340 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDP120R340
    Datasheet SJDP120R340 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 8 А, TO247
    Наименование модели: SJDP120R340 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 8 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R340 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.340 TBD ...
  2. SJDA065R055 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDA065R055
    Datasheet SJDA065R055 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220
    Наименование модели: SJDA065R055 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide SJDA065R055 Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Features: - Positive ...
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. SJEP170R550 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP170R550
    Datasheet SJEP170R550 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247
    Наименование модели: SJEP170R550 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP170R550 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1700 0.550 74 ...
  2. SJEP120R100A — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100A
    Datasheet SJEP120R100A - SemiSouth Даташит JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R100A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
  1. SJEP120R100 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100
    Datasheet SJEP120R100 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R100 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
  2. SJEP120R063A — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063A
    Datasheet SJEP120R063A - SemiSouth Даташит JFET, SIC, аудио, 1200 В, 30 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R063A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...
  3. SJEP120R063 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063
    Datasheet SJEP120R063 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R063 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...
  4. SJDP120R085 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDP120R085
    Datasheet SJDP120R085 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247
    Наименование модели: SJDP120R085 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R085 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.085 290 ...
  5. SJDP120R045 — Datasheet SemiSouth -
    Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDP120R045
    Datasheet SJDP120R045 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 48 А, TO247
    Наименование модели: SJDP120R045 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 48 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R045 Product Summary BVDS RDS(on)max 1200 0.045 V ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров