Datasheets - Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) - 8

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)

Вид: Список / Картинки

141. VCR7N-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay VCR7N-E3
     

     Наименование модели: VCR7N-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, N, TO-206AF Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VCR2N/4N/7N Vishay Siliconix JFET Voltage-Controlled Resistors PRODUCT SUMMARY Part Number Спецификации: ...
142. SST175-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay SST175-E3
     

     Наименование модели: SST175-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, 0.07 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 ...

143. SST174-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Vishay SST174-E3
     

     Наименование модели: SST174-E3 Производитель: Vishay Описание: Транзистор, JFET, сдвоенный, P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 ...
144. SJEP170R550 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP170R550
     

     Наименование модели: SJEP170R550 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP170R550 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1700 0.550 74 ...

145. SJEP120R100A — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100A
     

     Наименование модели: SJEP120R100A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
146. SJEP120R100 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R100
     

     Наименование модели: SJEP120R100 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 ...
147. SJEP120R063A — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063A
     

     Наименование модели: SJEP120R063A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...
148. SJEP120R063 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJEP120R063
     

     Наименование модели: SJEP120R063 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R063 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 ...
149. SJDP120R085 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDP120R085
     

     Наименование модели: SJDP120R085 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R085 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.085 290 ...
150. SJDP120R045 — Datasheet SemiSouth -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) SemiSouth SJDP120R045
     

     Наименование модели: SJDP120R045 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 48 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJDP120R045 Product Summary BVDS RDS(on)max 1200 0.045 V ...
151. PN4393 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild PN4393
     

     Наименование модели: PN4393 Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, JFET, N, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PN4391 / 4392 / 4393 / MMBF4391 / 4392 / 4393 PN4391 PN4392 PN4393 MMBF4391 MMBF4392 MMBF4393 G S G S ...
152. PN4392 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild PN4392
     

     Наименование модели: PN4392 Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, JFET, N, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PN4391 / 4392 / 4393 / MMBF4391 / 4392 / 4393 PN4391 PN4392 PN4393 MMBF4391 MMBF4392 MMBF4393 G S G S ...
153. PN4117A — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild PN4117A
     

     Наименование модели: PN4117A Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, JFET, N, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PN4117A PN4117A N-Channel Switch · This device is designed for low current DC and audio application. These ...
154. PMBFJ620,115 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ620,115
     

     Наименование модели: PMBFJ620,115 Производитель: NXP Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363 Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -25 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА .. 60 мА Gate-Source Cutoff Voltage ...
155. PMBFJ310 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ310
     

     Наименование модели: PMBFJ310 Производитель: NXP Описание: Транзистор, JFET, N, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBFJ308; PMBFJ309; PMBFJ310 N-channel silicon field-effect transistors Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data ...
156. PMBFJ176,215 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ176,215
     

     Наименование модели: PMBFJ176,215 Производитель: NXP Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors Product ...
157. PMBFJ174,215 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ174,215
     

     Наименование модели: PMBFJ174,215 Производитель: NXP Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors Product ...
158. PMBFJ112 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ112
     

     Наименование модели: PMBFJ112 Производитель: NXP Описание: Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBFJ111; PMBFJ112; PMBFJ113 N-channel junction FETs Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data sheet 1. ...
159. PMBFJ110,215 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ110,215
     

     Наименование модели: PMBFJ110,215 Производитель: NXP Описание: JET, N CH, 25 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBFJ108; PMBFJ109; PMBFJ110 N-channel junction FETs Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data sheet 1. Product ...
160. PMBFJ109,215 — Datasheet NXP -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) NXP PMBFJ109,215
     

     Наименование модели: PMBFJ109,215 Производитель: NXP Описание: JET, N CH, 25 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMBFJ108; PMBFJ109; PMBFJ110 N-channel junction FETs Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data sheet 1. Product ...