SiC полевой транзистор 1200–35 мВт Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства. Стандартные ...
SiC полевой транзистор 650-27 мВт Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства. Стандартные ...
SiC-каскод, 1200 В - 150 мВт Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства. Стандартные ...
SiC полевой транзистор 650–85 мВт Это устройство SiC FET основано на уникальной конфигурации «каскодной» схемы, в которой нормально включенный SiC JFET объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET устройства. Стандартные ...
