КП810

Транзисторы для силовой электроники
БСИТ-транзисторы

КП810А,Б,В

Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ)
АДБК 432150.375 ТУ
Транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с ветикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.

КТ-43-2
(ТО-218)

1-затвор
2-сток
3-исток

Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единица измерения		Букв. обозн.	Норма						Тем- пер. С^о
			КП810А		КП810Б		КП810В
			не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Ток утечки сток-исток, мА	Rзи=100 Ом; Uси=1200В	Iси.ут.		1					25
	Rзи=100 Ом; Uси=1000В					1		1	25
	Rзи=100 Ом; Uси=1200В			2					85
	Rзи=100 Ом; Uси=1000В					2		2	85
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА		Iз.ут.		0.5		0.5		0.5	25
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА		Iз.ут.		1		1		1	85
Напряжение при оборванном затворе сток-исток (Iс=5мА), В		Uси.0	650		650		700		25
		Uси.0	620		620		680		85
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом	Ic=2A; Iз=0.4А	Rси.отк		0.2		0.2			25
	Ic=2A; Iз=0.4А			0.3		0.3			-45
	Ic=5A; Iз=1А							0.2	25
	Ic=5A; Iз=1А							0.3	-45

Электрические параметры транзисторов, изменяющиеся в течение наработки и срока сохраняемости

Наименование параметра (режим измерения) единица измерения		Букв. обозн.	Норма						Тем- пер. С^о
			КП810А		КП810Б		КП810В
			не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Ток утечки сток-исток, мА	Rзи=100 Ом; Uси=1200В	Iси.ут.		2					25
Ток утечки сток-исток, мА	Rзи=100 Ом; Uси=1000В	Iси.ут.				2		2	25
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА		Iз.ут.		1		1		1	25

Предельно-допустимые значения
электрических режимов эксплуатации.

Наименование параметра (режим измерения) единица измерения	Букв. обозн.	Норма			Приме- чание
Наименование параметра (режим измерения) единица измерения	Букв. обозн.	КП810А	КП810Б	КП810В	Приме- чание
Максимально-допустимое напряжение сток-исток, (Rзи=100 Ом), В	Uси.мах	1300	1000	1100	1,2
Максимально-допустимое напряжение затвор-исток, В	Uзи.мах	5	5	5	1,2
Максимально-допустимый постоянный ток затвора, А	Iз.мах	3	3		1
Максимально-допустимый постоянный ток стока, А	Iс.мах	7	7	5	1
Максимально-допустимый импульсный ток затвора, А	Iз(и).мах	5	5	5	1,3
Максимально-допустимый импульсный ток стока, А	Iс(и).мах	10	10	10	1,3
Максимально-допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом, Вт	Рмах	50	50	50	4,5,6
Максимально-допустимая температура p-n перехода, С^о	Тп.мах	150	150	150

ПРИМЕЧАНИЯ:

В диапазоне температур от -45С до +85С.
При tимп. =< 0.5 мкс.
При длительности импульса не более 10 мкс и скважности Q >= 2.
В диапазоне температур Тк от +25С до +85С мощность снижается линейно.
Максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле: Р=50х(1-(Тк-25)/125) Вт, где Тк- температура корпуса транзистора.
В диапазоне температур Тк от -45С до +25С.

Значения основных параметров.

Наименование параметра (режим измерения) единица измерения		Букв. обозн.	Значения параметра
Наименование параметра (режим измерения) единица измерения		Букв. обозн.	мини- мальное	типовое	макси- мальное
Ток утечки сток-исток, мА	Ucи=1200В; Rзи=100 Ом (КП810А)	Iси.ут.	0.005	0.1	2
	Ucи=1000В; Rзи=100 Ом (КП810Б)
	Ucи=1000В; Rзи=100 Ом (КП810В)
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА		Iз.ут.	0.002	0.005	0.5
Напряжение сток-исток при оборванном затворе, В	КП810А	Uси.0			650
	КП810Б				650
	КП810В				700
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Ic=2A; Iз=0.4А), Ом		Rcи.отк	0.05	0.1	0.2
Время спада (Ucи=250В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), нс		tсп	160	220	250
Время рассасывания (Ucи=500В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), мкс		tрас	1.6	2.1	2.7
Время включения (Ucи=50В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), мкс		tвкл	160	200	220
Граничная частота (Uси=250В, fизм=10МГц), МГц		fгр.	30	40	50

КП810- полная замена КТ872, (строчная развертка, блоки питания) с существенным снижением потерь мощности.

Типовые выходные характеристики транзисторов КП810А,Б.

Типовые выходные характеристики транзисторов КП810В.

Типовая зависимость тока затвора от
напряжения затвор-исток транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость тока затвора от напряжения затвор-исток транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость сопротивления сток-исток
в открытом состоянии от тока стока для транзисторов КП810А,Б,В
Ткорп.=(25+-10)С, Iс/Iз=5.

Типовая зависимость сопротивления сток-исток в открытом состоянии от тока стока для транзисторов КП810А,Б,В

Типовая зависимость тока утечки затвора
от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость тока утечки затвора от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость тока утечки сток-исток
от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость тока утечки сток-исток от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.

Типовая зависимость временных параметров tсп и tвкл
от тока стока транзисторов КП810А,Б,В
Uси=250В, Ткорп=(25+-10)С, Iс/Iз=5, Iз⁺=Iз^-.

Типовая зависимость тока утечки сток-исток от тока стока транзисторов КП810А,Б,В

Типовая зависимость времени рассасывания
от тока стока транзисторов КП810А,Б,В
Uси=250В, Ткорп=(25+-10)С, Iс/Iз=5, Iз⁺=Iз^-.

Типовая зависимость времени рассасывания от тока стока транзисторов КП810А,Б,В

Область безопасной работы КП810А,Б
при переключении в режиме обратного
динамического смещения Ткорп=<85C.

Область безопасной работы КП810А,Б при переключении в режиме обратного динамического смещения Ткорп=<85C.

Область безопасной работы КП810В
при переключении в режиме обратного
динамического смещения Ткорп=<85C.

Область безопасной работы КП810В при переключении в режиме обратного динамического смещения Ткорп=<85C.

Зависимость максимально-допустимой рассеиваемой мощности
от температуры корпуса (с теплоотводом) транзисторов КП810А,Б,В.

Зависимость максимально-допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса (с теплоотводом) транзисторов КП810А,Б,В.

Транзисторы для силовой электроники
БСИТ-транзисторы