RLBN.ru - electronics banner network

Транзисторы для силовой электроники
БСИТ-транзисторы

КП965А,Б,В,Г,Д

Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ)
АДБК 432150.439 ТУ
Транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с ветикальным каналом р-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.

ТО-126 Цоколевка корпуса

КТ-27-2
(ТО-126)

1-исток
2-сток
3-затвор

  Графическое изображение БСИТ

Максимальные значения электрических
парметров и режимов эксплуатации.

Наименование параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Норма Приме-
чание
А Б В Г Д
Напряжение сток-исток, (Rзи=100 Ом), В Uси.мах 250 160 120 60 20 1,2
Напряжение затвор-исток, В Uзи.мах 5 5 5 5 5 1,2
Постоянный ток затвора, А Iз.мах 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5  
Постоянный ток стока, А Iс.мах 5 5 5 5 5  
Импульсный ток затвора, А Iз(и).мах 2 2 2 2 2 1,3
Импульсный ток стока, А Iс(и).мах 12 12 12 12 12 1,3
Рассеиваемая мощность с теплоотводом, Вт Рмах 10 10 10 10 10 4,5,6
Максимально-допустимая температура p-n перехода, Со Тп.мах 150 150 150 150 150  

ПРИМЕЧАНИЯ:

  1. В диапазоне температур от -45С до +85С.
  2. При tимп. =< 0.5 мкс.
  3. При длительности импульса не более 10 мкс и скважности Q >= 2.
  4. В диапазоне температур Тк от +25С до +85С мощность снижается линейно.
  5. Максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле: Р=10х(1-(Тк-25)/125) Вт, где Тк- температура корпуса транзистора.
  6. В диапазоне температур Тк от -45С до +25С.

Электрические параметры.

Наименование параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Значения параметра
мини-
мальное
типовое макси-
мальное
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Ic=0,5А Iз=0,002А), Ом КП965А Rси отк     0,16
КП965Б     0,14
КП965В     0,12
КП965Г     0,10
КП965Д     0,10
Время спада (Uси=50В, Iз=+-0,1А , Iс=1А), нс tсп 15 25 40
Время рассасывания (Uси=50В, Iз=+-0,1А , Iс=1А), нс tрас 120 180 210
Время включения (Uси=50В, Iз=+-0,1А , Iс=1А), нс tвкл 30 40 50
Ток утечки сток-исток (Rзи=100 Ом), мА Ucи=200В (КП965А) Iси.ут. 0,005 0,02 0,1
Ucи=160В (КП965Б)
Ucи=120В (КП965В)
Ucи= 60В (КП965Г)
Ucи= 20В (КП965Д)
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА Iз.ут. 0,001 0,01 0,05
Граничная частота (fизм=10МГц, Uси=50В), МГц fгр. 200 280 380

КП965- КП961 - комплементарная пара.

Транзисторы для силовой электроники
БСИТ-транзисторы