Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Обсуждение: Внешняя периферия с последовательным интерфейсом для приложений на микроконтроллерах

Специалист
 
Аватар для Robot Rlocman
 
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,649
Репутация: 266
257 0
18 0
 
24.01.2013 15:55 #1
Цитата:
В то время как инженеры*часто оценивают*микроконтроллер� � (МК)*с точки зрения*состава интегрированных периферийных устройств, необходимых для конкретного приложения, имеется много случаев, когда*нужно добавить к МК внешние функциональные устройства. Например, вам может понадобиться датчик или исполнительное устройство, физически близко расположенное к внешнему устройству, но удаленное от МК.
Подробнее: Внешняя периферия с последовательным интерфейсом для приложений на микроконтроллерах
Оценка
Литиевые химические источники тока ввиду своей эффективности и относительно невысокой цены получили широкое распространение в различных промышленных устройствах и устройствах IoT. В статье на примере литиевых батареек цилиндрической формы производства FANSO подробно рассматривается эксплуатация и хранение, пассивация и саморазряд каждого из этих типов изделий, влияние окружающей среды на их параметры и срок службы, особенности их выбора для разных проектов.
Новичок
 
Регистрация: 12.12.2012
Сообщений: 55
Репутация: 11
1 0
1 0
 
24.01.2013 15:55 #2
"Интерфейс I2C имеет преимущество за счет использования меньшего числа сигнальных линий и, следовательно, меньшего числа используемых выводов МК. Самая распространенная реализация – двунаправленная линия данных и линия тактирования, поддерживающая полудуплексную связь"
Не могу согласиться с данным текстом, да, количество выводов микросхемы меньше. Сигнал передается всего по 1 входу, что влечет за собой уменьшение тактовой частоты работы, а в результате - уменьшение производительности в N раз. Другой вопрос, когда в этом нет необходимости и можно выиграть в себестоимости.
Оценка
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элементов силовой электроники, но обладают своими уникальными преимуществами и ограничениями. Сравним основные характеристики IGBT и SiC MOSFET на примере номенклатуры азиатских производителей.
Ответ
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 18:05.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх