Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Осциллограф С1-75. Входной усилитель на 1 МОм до 20 МГц

Знаток
 
Аватар для SpiderMax
 
Регистрация: 26.12.2008
Адрес: г. Киев, Позняки, Вайбер +380681240663
Сообщений: 585
Репутация: 78
66 92
3 8
 
25.01.2013 18:37 #1
Очень нужна простая схема входного усилителя для С1-75. Чтоб входное сопротивление было 1 мегаом пару пФ.

Нужно чтоб не было разделительной емкости на входе.. Т.е. нужен "открытый" вход. Напряжение на входе =0 вольт. на выходе тоже.
Думаю что будет также переключатель на закрытие входа от постоянки.

Полоса пропускания до 20-30мгц на уровне -3дб.
Коэфф. усиления 0 или 6дб.
Входной сигнал до 3 вольт.
Нелинейные искажения менее 0,5% во всей полосе частот.


схемы на отдельных полевиках лепить горбулить не очень хочется, да и поиском нуля потом заниматься не хочется. Думаю использовать что то из дорогих современных ВЧ операционников типа LM7171 или более продвинутых. По частоте они подходят, только вот они походу все низкоомные по входу. А нужно именно 1мОм...

Поправьте если ошибаюсь.
Последний раз редактировалось Admin; 05.08.2015 в 15:29.
Оценка
Литиевые химические источники тока ввиду своей эффективности и относительно невысокой цены получили широкое распространение в различных промышленных устройствах и устройствах IoT. В статье на примере литиевых батареек цилиндрической формы производства FANSO подробно рассматривается эксплуатация и хранение, пассивация и саморазряд каждого из этих типов изделий, влияние окружающей среды на их параметры и срок службы, особенности их выбора для разных проектов.
Новичок
 
Регистрация: 11.09.2008
Сообщений: 5
Репутация: 10
 
31.01.2013 16:02 #2
когда-то давно с своему с1-108 присобачил входной усилитель от с1-116.
из минусов - процентов на 20 занижает напряжение. регулировками вытянуть не удалось.
Оценка
В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых элементов силовой электроники, но обладают своими уникальными преимуществами и ограничениями. Сравним основные характеристики IGBT и SiC MOSFET на примере номенклатуры азиатских производителей.
Ответ
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 08:17.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх