Цитата:

Журнал РАДИОЛОЦМАН, февраль 2013 Alan Ball, ON Semiconductor PowerPulse С ростом мощности силового оборудования повышаются требования к электронике управления высоковольтной и сильноточной нагрузкой. В мощных импульсных преобразователях, где элементы работают одновременно с высокими уровнями напряжений и токов, зачастую требуется параллельное соединение силовых ключей, таких, например, как IGBT транзисторы, хорошо работающие в подобных схемах.

Подробнее: Параллельное включение IGBT транзисторов

Спасибо! Полезная информация!

Хоть бы схемы без ляпов рисовали....

Это специательные транзисторы - для параллельного включения

А в чем ляп-то уважаемый гуру?
Не сочтите за труд..

Ошибка в рисунке а) Индивидуальные резисторы
Резисторы должны быть каждый для своего транзистора, а на рисунке резистор Rc работает сразу на два.

Цитата:

Сообщение от lllll

Ошибка в рисунке а) Индивидуальные резисторы
Резисторы должны быть каждый для своего транзистора, а на рисунке резистор Rc работает сразу на два.

Цитата из статьи: "... Тем не менее, многие выступают в защиту индивидуальных резисторов, поскольку последние минимизируют вероятность возникновения паразитной генерации между IGBT..."
Вы lllll видимо тоже те из "многих"
Всё правильно нарисовано на схемах. Резистор Rc является общей развязкой между драйвером и затворами транзюков.
Но не суть важно. Вот у меня появилась идея, привести к снижению стоимости силового ключа путем применения полевиков без обратного диода и использования одного общего (конечно подобранного по параметрам совокупной работы ключей)