Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
Добрый день
подскажите пожалуйста MC33152 драйвер N канального MOSFET, структурную схему из datasheet приатачил если выход притянуть к положительному потенциалу резистором 90k, т.е. чтобы "перетянуть" встроенную подтяжку к отрицательному можно ли использовать как драйвер P канального MOSFET спасибо
Последний раз редактировалось ostrov; 25.07.2013 в 18:43.
|
||
Оценка
|
Знаток
Регистрация: 30.09.2009
Сообщений: 425
Репутация: 141
|
Лист данных http://www.onsemi.ru.com/pub_link/Co.../MC34152-D.PDF, рисунок №21 (изолированный драйвер MOSFET). А то, что предложили, нарисуйте, по моему не пойдёт.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
Цитата:
Лист данных http://www.onsemi.ru.com/pub_link/Co.../MC34152-D.PDF, рисунок №21 (изолированный драйвер MOSFET).
вот нашел http://www.power-e.ru/pdf/2009_2_38.pdf ниже схема из статьи управление P полевиком драйвером для N полевика, для меня не совсем понятна, верхняя часть, позже в мультисиме просимулирую . . . хорошо, позже, сейчас нет доступа |
||
Оценка
|
Знаток
Регистрация: 30.09.2009
Сообщений: 425
Репутация: 141
|
Цитата:
Цепочка Ch и Rz определяет скорость изменения постоянного напряжения на Ch. Если эта емкость слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz. Если емкость Ch будет слишком велика, p-канальный MOSFET будет включаться слишком медленно. Это будет происходить из-за медленного нарастания фронта на затворе транзистора и может привести к его повреждению. Rh2 и R12 регулируют скорость закрывания MOSFET. (Rh1+Rh2) и (R11+R12) определяют скорость включения транзистора. В большинстве применений требуется более низкая скорость открытия и более высокая скорость закрытия транзистора [4]." Очень много ограничений, я бы не рискнул такой драйвер ставить. Коричневым текстом отмечено не соответствие, предполагаю, с уменьшением ёмкости конденсатора, ток должен уменьшаться а не увеличиваться, может я не прав. Ради интереса, попробую в микрокапе. |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 10.09.2012
Сообщений: 103
Репутация: 31
|
Цитата:
1 - 100к - это не подтяжка к земле. это обеспечение некоторой определенности в момент переключения плеч драйвера. 2 - этим драйвером вообще нельзя управлять р-канальными. впрямую, разумеется. либо ставить на выходе трансформатор, либо еще один драйвер из пары комплементарных транзисторов, включенных повторителями.
__________________
Не нужно сегодня делать то, что можно сделать завтра. Ибо послезавтра это может не понадобиться. |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
Цитата:
но габаритно получается с трансформатором я ранее конечно не сталкивался подобными задачами, драйвер P полевика, но как то с ходу готовых решений (аналог драйверов N канальных) не нашел, ни инфы в интернетах ни наличия у поставщиков. а каким можно |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
вот еще http://kazus.ru/forums/showthread.php?t=23940&page=3
два последних поста, схема ниже "Комрады, все оказалось проще. Используем обычный драйвер нижнего уровня, "развернув" его по питанию относительно истоков верхних транзисторов." |
||
Оценка
|
Знаток
Регистрация: 30.09.2009
Сообщений: 425
Репутация: 141
|
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
имеете ввиду что все равно нужен изолированный источник питания?
а в принципе схема рабочая? Цитата:
там тоже "Если эта емкость слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz" |
||
Оценка
|
Знаток
Регистрация: 30.09.2009
Сообщений: 425
Репутация: 141
|
Цитата:
Начнём с драйвера MC33152 (http://onsemi.com) "MC33152: MOSFET Driver, High Speed, Dual" http://www.onsemi.ru.com/pub/Collateral/MC34152-D.PDF. На странице 2 в таблице "MAXIMUM RATINGS" (максимальные значения), в примечании 1 написано: "Для достижения оптимальной скорости переключения, максимальное входное напряжение должно быть ограничено между 10 В и VСС.". На первой странице написано (особенности), время нарастания и спада выходного сигнала 15 нс при ёмкости нагрузки 1000 пф. На 3-ей странице (электрические характеристики) при напряжении питания (Vcc)=12 В, указаны выходные токи при низком и высоком уровнях, т. е. максимальное напряжение низкого уровня при 400 мА - 2,5 В (~6,3 Ом), высокого уровня минимальное - 10 В (~5 Ом). Характеристики переключения (минимальное время задержки и максимальное) отличаются более 2-х раз, это надо учитывать если разные драйверы на P-канальный и N-канальный транзисторы. Для теста драйвера Р-канального транзистора, выбран IRFP9240 (входная ёмкость 1400 пф при -25 В), N-канальный - IRFP240. В статье написано, что ёмкость Ch должна быть значительно больше входной ёмкости транзистора, возьмём 10*Ch. Как ни старался подбирать элементы, импульсная мощность рассеиваемая верхним транзистором, исчисляется киловаттами, ясно, что ему не долго жить при такой работе. Изменение ёмкости Ch, не сильно сказывается на ток, но на напряжение на затворе P-канального транзистора - сильно. Транзистор полностью не открыт. И ещё одна проблема - это при включении, когда конденсатор Ch разряжен, будет бросок тока, дальше по сценарию... Очередной раз убедился, не всё то, что пишут, можно применить. Нормальное безопасное напряжение на затворе -7,5 В (закрытое состояние) и 15 В (в открытом состоянии), для Р-канального инверсные напряжения. |
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |