Эксперт
Регистрация: 08.11.2009
Сообщений: 2,310
Репутация: 643
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
ostrov честно говоря не понятны потуги в этом направлении... можно было бы понять, если бы речь шла об управлении Р-мосфета дискретным драйвером при питании 12-18в, тут понятно вопрос цены....
но изобретать велосипед к квадратными колесами??? зачем? если любой интегральный драйвер верхнего плеча спокойно управляет Н-мосфетом без особых проблем, смысл применять Р-мосфет, если при одинаковом номинальном напряжении , сопротивление открытого канала на порядок хуже, чем Н-мосфета....и цена в полтора-два раза выше... |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
![]() |
большое спасибо за выкладки
а если увеличить Vcc до 15-16V ( судя по докам не критично) вроде нормально получается . . . фтонт/спад у источника 50nsec
Последний раз редактировалось ostrov; 28.07.2013 в 22:51.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
![]() |
![]() ![]() но без нижнего плеча, заряд конденсатора накачки зависит от нагрузки, нагрузку желательно помощнее что бы успевал зарядиться, заполнение ШИМ близко к 100% аналогично ограничивает заряд . . . ну и возможно т.д. по сравнению с P mosfet в верхнем плече . . . ограничений больше, схема не гибкая получается с bootstrap, имею ввиду вариацию видов нагрузки с P mosfet понадежнее как то, если не брать в расчет стоимость и сопротивление канала хотя конечно же соглашусь с Вами что все зависит от поставленного ТЗ ![]() но все же спасибо за помощь ![]() вот еще есть 2 варианта драйвера P mosfet на дискретке http://valvolodin.narod.ru/articles/FETsCntr.pdf
Последний раз редактировалось ostrov; 29.07.2013 в 20:02.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |