|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,695
Репутация: 267
 |
Цитата:
Компания International Rectifier объявила о расширении семейства силовых модулей, представив мощный сдвоенный MOSFET IRFHE4250D FastIRFET с уменьшенными более чем на 5% потерями мощности при нагрузке 25 А, по сравнению с лучшими в своем классе силовыми модулями. Максимальное рабочее напряжение микросхемы составляет 25 В, но, в первую очередь, она нацелена на использовании в понижающих преобразователях постоянного тока с входным напряжением 12 В для телекоммуникационного и сетевого оборудования, серверов, графических адаптеров, настольных компьютеров, ультрабуков и ноутбуков.
|
||
|
Оценка
|
|
КОМПЭЛ продолжает серию публикаций, посвященных азиатским АЦП, их сравнению по цене, функционалу и ограничениям. В этом выпуске - обзор изолированных сигма-дельта модуляторов, предназначенных для точной оцифровки слабых сигналов в условиях высоких помех. Такие компоненты особенно востребованы, когда требуется гальваническая развязка аналогового тракта от цифровой части системы. Рассмотрим характеристики, конкретные модели изолированных сигма-дельта модуляторов рекомендованных производителей
 |
|
Новичок
Регистрация: 04.01.2013
Сообщений: 13
Репутация: 15
|
А зачем в русском переводе модифицирован 4-й столбец таблицы, причём с ошибкой. RDS(on) Max 4.5V (mOhms), сопротивление у транзистора всё-таки в мОм !
|
||
|
Оценка
|
|
Растущие требования к эффективности, компактности и надёжности в промышленной автоматизации, телекоммуникациях, дата-центрах и электротранспорте делают карбид кремния (SiC) не просто альтернативой кремнию, а ключевым инструментом инженерных решений. Китайские производители предлагают SiC-диоды и транзисторы, сопоставимые по характеристикам с мировыми аналогами при оптимизированной стоимости. В каталоге КОМПЭЛ представлен широкий выбор SiC-дискретов, доступных со склада для ваших проектов.
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
