| 
	
		
			
			Специалист
			
		
	
 Регистрация: 24.11.2007 
					Сообщений: 2,684
				
				
				 Репутация: 267    | 
 Цитата: Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2018 Peter Demchenko EDN В качестве выходных ключей микросхем слаботочных импульсных регуляторов часто используются транзисторы Дарлингтона. В случае применения такой микросхемы КПД преобразования энергии можно улучшить с помощью всего двух недорогих компонентов. | ||
| 
Оценка
 | 
| 
	
		
			
			Специалист
			
		
	
 Регистрация: 01.03.2010 Адрес: Україна 
					Сообщений: 881
				
				
				 Репутация: 251    | 
 
			
			Подправьте статью. "Во многих случаях этот резистор можно не устанавливать (то есть, R1 = ***8734  ." Должно быть R1=0. При бесконечности обрыв цепи..... | ||
| 
Оценка
 | 
| 
	
		
			
			Эксперт
			
		
	
 Регистрация: 17.04.2014 Адрес: Южное Подмосковье 
					Сообщений: 1,886
				
				
				 Репутация: 823        | 
 
			
			При входном напряжении VIN = 12 В и сопротивлении нагрузки 24 В  В догонку к предыдущему посту... | ||
| 
Оценка
 | 
| 
	
		
			
			Специалист
			
		
	
 Регистрация: 01.03.2010 Адрес: Україна 
					Сообщений: 881
				
				
				 Репутация: 251    | 
 
			
			Глянул оригинал. Моя опечатка там так и есть.  По поводу замечания Сатира. Оригинал"When VIN = 12 V, the above configuration, loaded with 24 W, has an efficiency of 85%, and the minimum input voltage is 7.5 V." надо писать не сопротивление нагрузки..., а нагрузка 24 Вт. А так интересно проверить правильность. Жалко что у меня нет сейчас этой возможности. | ||
| 
Оценка
 | 
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |