|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,651
Репутация: 266
 |
Цитата:
Научно-исследовательская лаборатория «Элементная база силовой электроники на основе нитрида галлия» (НИЛ*ЭБСЭ) откроется на базе*Научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология» (НОЦ*ЗМНТ). В*ней будут разрабатываться новые элементы для развития силовых микросхем, новые конструкции гетероструктур A3B5*для применения в силовых транзисторах.
|
||
|
Оценка
|
|
Компания Chipown представила высокоскоростной драйвер PN7113 для управления N-канальными транзисторами MOSFET или IGBT, работающими в полумостовой топологии. Микросхема является Pin-to-Pin совместимым аналогом популярных западных драйверов хх2110, хх2113 и хх2112, но при этом имеет существенное преимущество – более доступную цену. В статье приведен детальный разбор сравнительных параметров драйверов PN7113 и хх211x, их электрических характеристик, а также схем включения, цоколевки и описания выводов.
 |
|
Специалист
Регистрация: 22.09.2010
Адрес: г. Донецк
Сообщений: 873
Репутация: 381
|
Руководство НИР - это большая головная боль, даже помимо огромного количества времени, что будет потрачено на решение административных вопросов.
Желаю успеха молодым учёным. |
||
|
Оценка
|
|
Мониторинг и контроль температуры необходимы во многих устройствах и приборах. Сложно найти электронную систему, в которой не присутствовал бы тот или иной температурный датчик. Многие азиатские производители производят датчики, которые не уступают по качеству популярным западным решениям и выгодно отличаются от них по цене. Каждая из компаний обладает большим опытом в производстве микроэлектронных приборов и имеет мощные отделы разработки и контроля качества. Они предлагают не только свои разработки, но также функциональные и Pin-to-Pin-аналоги популярных датчиков западных компаний в конструктивных исполнениях для самых разнообразных областей применения.
|
|
Эксперт
Регистрация: 17.04.2014
Адрес: Южное Подмосковье
Сообщений: 1,857
Репутация: 813
 |
|
||
|
Оценка
|
|
Специалист
Регистрация: 26.10.2020
Адрес: Омск
Сообщений: 1,753
Репутация: 245
|
Вы что-то путаете. В статье указано, что эти фирмы уже разработали технологический процесс эпитаксиального роста нитрид-галлиевых гетероструктур на кремниевых подложках диаметром 150, 200 мм.
|
||
|
Оценка
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
