Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,538
Репутация: 260
![]() ![]() ![]() |
Цитата:
В настоящее время большая часть новостей и дискуссий в полупроводниковой отрасли посвящена устройствам на основе новых материалов с широкой запрещенной зоной, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Приложения средней и высокой мощности, в которых использовались IGBT, по-прежнему существуют, как и сами транзисторы.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |