Эксперт
Регистрация: 08.11.2009
Сообщений: 2,310
Репутация: 639
|
потомушта R2 совместно с R3 образует ООС по постоянному току , при увеличении напряжения питания увеличивается падение напряжения на делителе R1R2 и одновременно на R3, при этом падение напряжения коллектор-эмиттер остается не низменным
|
||
Оценка
|
Эксперт
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,366
Репутация: 898
|
Тогда резко ухудшится стабильность работы генератора. Ток коллектора = ток базы х h21 (коэффициент усиления ОЭ). h21 - очень нестабильный параметр. Он сильно зависит от температуры, от экземпляра транзистора, от тока коллектора. В вашей схеме напряжение на базе задаётся делителем R1-R2 и ни от чего не зависит. Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе минус напряжение Э-Б. Ток коллектора равен отношению напряжения на эмиттере к величине R3. Как видите, мы ушли от зависимости тока коллектора от h21.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.02.2017
Сообщений: 24
Репутация: 12
|
Цитата:
Тогда резко ухудшится стабильность работы генератора. Ток коллектора = ток базы х h21 (коэффициент усиления ОЭ). h21 - очень нестабильный параметр. Он сильно зависит от температуры, от экземпляра транзистора, от тока коллектора. В вашей схеме напряжение на базе задаётся делителем R1-R2 и ни от чего не зависит. Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе минус напряжение Э-Б. Ток коллектора равен отношению напряжения на эмиттере к величине R3. Как видите, мы ушли от зависимости тока коллектора от h21.
Пошел переваривать ваш развернутый ответ... |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.02.2017
Сообщений: 24
Репутация: 12
|
уважаемый vishz, не могли бы вы мне еще объяснить:
мне сказали что Характеристическое сопротивление колебательного контура должно быть больше 100 Ом. Вопрос1: почему? Вопрос2:100 Ом - это нижняя черта,а на самом деле оно должно быть как можно больше? |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.02.2017
Сообщений: 24
Репутация: 12
|
Я правильно понимаю?:
Питание у нас допустим 11.5в (регулируется аллахом и буддой вместе,так-что оно неизменно по божественным причинам). При номиналах R1(6к8) и R2(4к7) которые мы выбрали и впаяли в схему - напряжение на базе, согласно делителю, будет 4.7в. Допустим что по велению джунглей (хотя подозреваю что по другим причинам) в моем экземпляре транзистора заложено падение Б-Э = 1.7в. Соответственно в точке между R3 и Эмиттером будет разность в 1.7в, что подразумевает под собой: железобетонное напряжение на базе= 4.7в(т.к. за Vcc = 11.5 следят боги),а на эмиттере V=4.7-1.7=3в(за падением Б-Э следят джунгли))) Следовательно: хоть об стенку бейся,но через R3 должен постоянно бежать ток минимум: I=U/R => I=3v/100r => I=0.03A = 30мА ? И не важно откуда берется этот ток...хоть от Б-Э,хоть от К-Э? 30мА -это минимальный ток через R3 при Vcc=11.5v. Я правильно рассуждаю? |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.02.2017
Сообщений: 24
Репутация: 12
|
Вроде как начал вникать,но пипец...мне - как неандертальцу паровой двигатель объяснили (((
|
||
Оценка
|
Эксперт
Регистрация: 08.11.2009
Сообщений: 2,310
Репутация: 639
|
|
||
Оценка
|
Эксперт
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,366
Репутация: 898
|
Цитата:
Напряжение Э-Б обычно составляет 0,6 - 0,7 В, немного больше, чем на диоде из-за влияния коллектора. Сопротивление R3 может быть и больше - нет необходимости держать ток коллектора таким большим. Не знаю, почему волновое сопротивление контура должно быть более 100 ом. Я не вижу в этом необходимости - ведь выходное сопротивление эмиттерного повторителя много ниже сопротивления R3. |
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |