Цитата:

Сообщение от salyamkamrad

А при чем здесь я? Но да, не хватает, уже 700 гигов забито самым необходимым.

Да нет вы не подумайте нечего плохого. Я просто имел ввиду
что уже есть и работает. У меня обычный Ж.Д на компе, разбит на два.
Ёмкостью 500 Гб. И ОС компа там стоит. Так у меня 300 Гб. максимально бывает забит. А установлено ПО полно. Две большие программы моделирования по 750 мб. Несколько небольших по 42 мб.
Стараюсь не забивать. Все в основном стоит на флешках. Кое что
на CD. Большая библиотека тех литературы и отдельно два диска
с фото. А лишняя забивка замедляет скорость работы компа.
А насчёт темы разработки сегнетоэлектрической памяти так больше
будет устройств работы с ней.
А компов с Российской Эл. базой пока нет. Так вот разработчикам
этой памяти желаю удачи конечно. Но посоветоваться с тем же Китаем откуда у нас эти компы или комплектующие идут что бы они
сделали устройства согласования. А они на это не пойдут. Так как
им предется переделывать всё линии производства компов.

А на флешках с программами удобно работать. У меня несколько программ запускаються прямо с нее. Сел на работе в свободное
время, воткнул в комп и работай что дома не успел сделать.
Флешки не подводили. В Ситилинке их заказываю. Там всегда нормальная комплектация к компам.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

А как с считыванием этой информации на такой ёмкости записи, со
скоростью я имею ввиду с сегнетоэлектрической памяти ?
Понятно, что она большой ёмкости, и с вечным хранением.
Как она будет по логическим уровням совместима с МК.

Всё там прекрасно, CY15B102Q 2015 года, 10 в 14 степени циклов обращения к каждой ячейке, до нее американцы делали (с 2007 года) FM25H20, те же 10 в 14 степени циклов обращения, в новой потребляемую мощность уменьшили и повысили надежность

Цитата:

Сообщение от novikovfb

Всё там прекрасно, CY15B102Q 2015 года, 10 в 14 степени циклов обращения к каждой ячейке, до нее американцы делали (с 2007 года) FM25H20, те же 10 в 14 степени циклов обращения, в новой потребляемую мощность уменьшили и повысили надежность

Так это делали американцы а не мы. Китай сейчас делает много прорывов в электроники. Так что будет сама память Россия а считка
американская.
Простите конечно, но я помню времена когда пошла первая Советская
динамическая память. Там тоже были большие объемы информации.
Даже микросхемы появились. Все это хорошо было. Но что бы обслужить эту память надо было делать ещё десяток микросхем ставить. Память была оперативная. ОЗУ.
Так вот не прижились они.
А потом сделали более простые статические ОЗУ. Вот те работали
десятки лет. Управление было проще.

Цитата:

Сообщение от Aleksandr52

Так это делали американцы а не мы.

Внезапно, да?

Цитата:

Очень интересная и малоизвестная микросхема - матрица-накопитель сегнетоэлектрического (!) ЗУ. Она представляет собой энергонезависимую память, хранение информации в которой осуществляется путём изменения поляризации отдельных участков пьезокерамической пластины.

Эта технология сейчас на Западе пользуется большой популярностью, но я никогда не слышал о серийных отечественных разработках такого типа, тем более столь ранних. Возможно, это цитата именно про эту микросхему - "Одними из первых устройств этого типа были сегнетоэлектрические ЗУ, изготовленные на поликристаллической сегнетокерамике типа цирконата - титаната свинца (PZT-керамика)."

Цитата:

Сообщение от Точка Опоры

Внезапно, да?

Даже не слышал и тем более не видел такую матрицу.
За информацию спасибо. Вот из СССР пошла технология
на запад. Ещё бы посмотреть считку для нее.
А то мы тогда кроме микросхем ППЗУ с ультра фиалетовым стиранием
нечего не знали.

для писателей это действительно внезапно. а для читателей - новизна в токах утечки. их уменьшили на порядки, а отсюда, время хранения и количество циклов перезаписи. ну и попутно обьемы памяти.
в 85 году с ними работали даже в таком универе как наш (самая переферия СССР). но проблема была со стабильностью питания. свет кончился - информация потерялась.

Не знаю как идёт процесс записи и считывания на сегнетоэлектрической памяти. Но на логических микросхемах с нормальными уровнями лог 1 и 0. Сначало при записи идёт сигнал записи, потом задаются адрес ячейки, одновременно с ним идёт сигнал
стробирования - записи.
При считывании идёт сигнал считывания, потом адрес с сигналом стробирования. Колличество двоичных адресов (разрядов) равно ёмкости ОЗУ или ПЗУ. Все это относиться к статической памяти.
В динамической памяти управление записью и считыванием немного
сложней.
А самое главное на все эти процессы нужно время. Мгновенного быть
нечего не может. Интересно ещё как осуществляется адреса на большой памяти. Я имею ввиду колличество разрядов.
Мы работали со всеми микросхемами ОЗУ. Делали много что на 132РУ10. Собирали их в параллель для наращивания памяти и делали
выборочные записи и считывания. Мгновенного не получалось.
Да нам в принципе мгновенного не нужно было.
мы делали кодирование больших потоков информации,
вставляли свои коды а на приемных устройствах убирали их.
Было это в середине 80 годов.

Была ещё 100 серия памяти и управление ей.Это ЭСЛ серия. Она работает с логическими уровнями ниже нуля и имеет небольшие
значения лог.1 и 0. Там нано секундные задержки. Более высокая
частота выборок. Но она сильно потребляющая была. Сами золотые
планарные корпуса имели сильный нагрев. Платы на этой серии требовали хорошего охлаждения. Да и питание там несколько отличалось от стандартных пяти вольтовых питаний.

Какое это имеет отношение к этой теме?