Спасибо за разъяснение транзистора. Все немного встает на свои места(в том числе с вашей помощью)
Насчет волнового сопротивления и почему оно должно быть 100-200 Ом( как выяснил - это не железобетонная граница,а скорее практическая рекомендация).
Мне объяснили так : В принципе,чисто теоретически можно взять конденсатор на 100500 Фарад и замкнуть его выводы скрепкой(скрепка ведь тоже имеет индуктивность) и в итоге получить колебательный контур на нужную частоту. Или взять и намотать 100500 витков на катушку желательно диаметром поболее и замкнуть ее выводы сами на себя(провод ведь тоже емкость имеет) и в итоге получить колебательный контур на нужную частоту.
Это конечно в теории можно,но на практике : ХРЕН ВАМ,т.е. такой генератор навряд-ли запустишь за отрезок человеческой жизни. К сожалению наш мир жесток и практика немного расходиться с теорией. Я понял так:желательно кооф.волнового сопротивления ( р ) должен быть как можно больше(т.е. емкость поменьше выбираем,а индуктивность побольше,желательно еще больше,еще еще больше), но в итоге мы упремся в ухудшение Q (добротности). Ведь чем больше витков,тем длиннее проволока,тем она больше имеет активное сопротивление,соответстве� �но R будет расти. И тут нам придется выбирать: уменьшить р (самое простое) ,либо чисто экономические проблемы - уменьшить R : мотать значительно более толстым(дорогим) проводом,либо заменить медную проволоку как минимум на золотую(при том-же сечении,соответственно дороже). Т.е. любая попытка увеличить р ,при этом не затронув Q - очень дорогостоящее предприятие. Потому на практике стремятся к 100<p<200.
Вот тут немного подробнее нашел:
http://www.techstages.ru/setons-414-1.html курю этот мануал.

Я принял информацию и понял ее именно так как описал.

Не совсем так. При низком волновом сопротивлении возникает проблема создания на контуре более-менее приемлемого напряжения генерации, т.к. для этого необходим довольно большой ток. При большом волновом сопротивлении наоборот, ток очень мал при большом напряжении, уж не говоря о стабильности ёмкости контура. Да и катушку большой индуктивности сложнее изготовить. Тот факт, что при увеличении индуктивности растёт активное сопротивление не означает, что добротность контура снижается. Как известно, Q=1/R*sqrt(L/C). Индуктивность катушки пропорциональна квадрату числа витков, а сопротивление - числу витков (длине провода). При удвоении числа витков L вырастет в четыре раза, а R в два. Добротность останется прежней.

а как насчет сопротивления на резонансной частоте для емкости и индуктивности соответственно. хоть для последовательного резонанса (токовый резонанс) хоть для параллельного (резонанс напряжений), ну а добротностью снижают (добиваются максимального уменьшения) комплексного сопротивления на резонансной частоте... но это очень грубо. а вообще рекомендую книгу. сворень. шаг за шагом. там есть резонансные цепи. на первоначальном уровне, для меня по крайней мере, это самая лучшая книга по данной теме. там и графики и формулы и аналогии, т.е. все то, что надо для понимания процесса, без глубоких знаний физики. ну а уже после можно и на формулы высшей математики переключаться.....

Цитата:

Сообщение от spasatell

хоть для последовательного резонанса (токовый резонанс) хоть для параллельного (резонанс напряжений)

Наоборот. При последовательном соединении возникает резонанс напряжений, а при параллельном - резонанс токов.

наверное вы правы, а я ошибку допустил.
при последовательном соединении РЦЛ элементов на резонансной частоте общее сопротивление снизится до минимума и на каждом отдельном элементе в цепи (последовательном контуре), по закону ома, выделится максимальное напряжение. и это будет резонанс напряжения. ну а при параллельном соединении все наоборот (токи и напряжения) и как вы и сказали будет резонанс токаов. извиняюсь - давно не занимался расчетами. (ток увеличился в цепи - значит "резонанс тока" - отсюда и ошибка, перечитаю тему) но вопрос о другом. о том, что нельзя бесконечно большую емкость соединить с бесконечно малой индуктивностью, хоть параллельно, хоть последовательно, ну или наоборот (имеется ввиду емкость и индуктивность) и этому есть обоснование теоретическое и нет никакого противоречия...