artvv Вы привели хороший пример В/А характеристик. Напряжение на затворе ниже 2,5 вольта даже не рассматривается...

Это не artvv, а я. Экий Вы недовольный вечно, и все Вам "не ндравится и не ндравится". "Не рассматривается" не значит - не существует! Может этот удовлетворит:
http://www.rlocman.ru/forum/attachment.php?attachmentid=6114&stc=1&d=131351010 2, а особенно этот:
http://www.rlocman.ru/forum/attachment.php?attachmentid=6115&stc=1&d=131351010 2.

Предлогаемые Вами HEXFET MOSFET транзисторы закрыты при ноле на затворе. Для использования их в качестве ключа необходимо что-бы транзистор открывался полностью. Для этого необходимо подать напряжение 3 и более вольт, в зависимости от транзистора. Транзисторы с СТАТИЧЕСКИМ ИНДУЦИРОВАНЫМ КАНАЛОМ наоборот при ноле открыты и требуется подать обратное запирающее наприжение. Оба типа не соответствуют поставленой задаче.

Вы ЛГУН и ДЕМАГОГ. В посте #21 Вы пишете: "Напряжение на затворе ниже 2,5 вольта даже не рассматривается...", а здесь - "...необходимо подать напряжение 3 и более вольт..."? Куда делись 0,5Вольт?. Токи транзисторов при напряжении 3,0 вольт затвор-исток и температуре 25 градусов:
IRL2505~26A (при Imax.cont=104A)
IRLIZ34~6A (при Imax.cont=22A)
IRF7809~80A (при Imax.cont=13.3A)
IRLML2404~5A (при Imax.cont=1.2A)
У двух последних этот ток даже превышает предельно допустимый постоянный ток стока. О каких "...необходимо подать напряжение 3 и более вольт..." Вы говорите?!
Фраза "что-бы транзистор открывался полностью" - безграмотна технически, при росте Uзи полевой транзистор будет открываться до тех пор, пока Uзи не пробьет диэлектрик между затвором и каналом (стоком, истоком). Это у биполярного транзистора существует напряжение насыщения коллектор-эмиттер. А полевой транзистор в ключе надо отпереть (подать Uзи) ровно настолько, чтобы на нагрузке, коммутируемой этим транзистором, падало практически все напряжение источника питания, в данном случае 8.5-8.7 Вольт из 9.0-ти.
Термина "Транзисторы с СТАТИЧЕСКИМ ИНДУЦИРОВАНЫМ КАНАЛОМ" не существует, Вы имели ввиду "МДП-транзисторы со встроенным каналом", перепутали его с БСИТ (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ), и в противоположность вашей теории ("требуется подать обратное запирающее наприжение"), он не только запирается отрицательным, но может и дальше отпираться положительным напряжением на затворе (режим обогащения). Короче, слышишь звон, да не знаешь где он".
Кстати, в пяти строках вы сделали 5 ошибок, русский для Вас не родной, что-ли? Послушайте, а может я погорячился?, может Вы вовсе не ЛГУН и ДЕМАГОГ, а ТУПОЙ, УПЕРТЫЙ и САМОУВЕРЕННЫЙ индюк? Тогда нам надо встретиться, иначе Вам ничего не втолкуешь, я таких знаю...
Резюме:
1. В данном случае отлично подходят MOSFET-ы с индуцированным каналом и низким пороговым напряжением (например вышеуказанные )
2. Вам, товарищ "пять кольев"(отличная отметка, Вам идет):
а) "Век живи - век учись"
б) «Не судите, да не судимы будете»
и от меня:
в) Услышал звон - первым делом выясни, не в голове ли у тебя звенит
г) Семь раз отмерь а затем подумай, стоит ли резать.
И Гениальное: "Улыбайтесь почаще, господа. Серьезное выражение лица еще не признак ума. Все глупости на свете совершаются именно с этим выражением лица. Улыбайтесь почаще, господа!".

в исходной теме есть маленький подвох "от 1,5 до 3,2В"
полевики с logic level рассчитаны для уверенно гарантированной работы с уровнями 3-5 вольт, насчет 1,5 - проверить надобно, да и еще одна "пакость" - ток перезарядки затвора - он хоть и "пиковый" , но все же имеется, и пренебрегать им не зная, чем этот ключик запускаться будет...
низковольтные "капельки" весьма капризны к перегрузкам...