Эксперт
Регистрация: 08.11.2009
Сообщений: 2,309
Репутация: 637
|
ostrov честно говоря не понятны потуги в этом направлении... можно было бы понять, если бы речь шла об управлении Р-мосфета дискретным драйвером при питании 12-18в, тут понятно вопрос цены....
но изобретать велосипед к квадратными колесами??? зачем? если любой интегральный драйвер верхнего плеча спокойно управляет Н-мосфетом без особых проблем, смысл применять Р-мосфет, если при одинаковом номинальном напряжении , сопротивление открытого канала на порядок хуже, чем Н-мосфета....и цена в полтора-два раза выше... |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
большое спасибо за выкладки
а если увеличить Vcc до 15-16V ( судя по докам не критично) вроде нормально получается . . . фтонт/спад у источника 50nsec
Последний раз редактировалось ostrov; 28.07.2013 в 22:51.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 28.05.2013
Адрес: Moscow
Сообщений: 41
Репутация: 11
|
я к сожалению не вникал bootstrap основательно, так что не смогу вести аргументированный диспут
но без нижнего плеча, заряд конденсатора накачки зависит от нагрузки, нагрузку желательно помощнее что бы успевал зарядиться, заполнение ШИМ близко к 100% аналогично ограничивает заряд . . . ну и возможно т.д. по сравнению с P mosfet в верхнем плече . . . ограничений больше, схема не гибкая получается с bootstrap, имею ввиду вариацию видов нагрузки с P mosfet понадежнее как то, если не брать в расчет стоимость и сопротивление канала хотя конечно же соглашусь с Вами что все зависит от поставленного ТЗ но все же спасибо за помощь вот еще есть 2 варианта драйвера P mosfet на дискретке http://valvolodin.narod.ru/articles/FETsCntr.pdf
Последний раз редактировалось ostrov; 29.07.2013 в 20:02.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |