Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,513
Репутация: 259
|
Цитата:
Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. Из-за высокой скорости переключения dv/dt, di/dt, больших динамических токов и значительной коммутируемой мощности дисбаланс между параллельно включенными GaN-транзисторами оказывается потенциально больше, чем в случае с кремниевыми (Si) МОП-транзисторами.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |